WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998050965) PROCEDE DE PREPARATION DE SUBSTRATS POUR SUPRACONDUCTEURS A COUCHE MINCE ET DISPOSITIFS PERFECTIONNES RENFERMANT CES SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/050965    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/007579
Date de publication : 12.11.1998 Date de dépôt international : 15.04.1998
CIB :
H01L 39/24 (2006.01)
Déposants : SUPERCONDUCTOR TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Suite F 460 Ward Drive Santa Barbara, CA 93111-2310 (US)
Inventeurs : EDDY, Michael, M.; (US).
ZUCK, Betty, F.; (US).
FIRPO, Gregory, G.; (US)
Mandataire : MURPHY, David, B.; Lyon & Lyon LLP Suite 4700 633 West Fifth Street Los Angeles, CA 90071-2066 (US)
Données relatives à la priorité :
08/850,809 02.05.1997 US
Titre (EN) METHOD FOR PREPARATION OF SUBSTRATES FOR THIN FILM SUPERCONDUCTORS AND IMPROVED DEVICES INCORPORATING SUBSTRATES
(FR) PROCEDE DE PREPARATION DE SUBSTRATS POUR SUPRACONDUCTEURS A COUCHE MINCE ET DISPOSITIFS PERFECTIONNES RENFERMANT CES SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)Improved reproducibility of fabrication of superconducting thin film devices on MgO substrates is accomplished through use of the inventive procedure. As a first step of the process, the surface of the MgO is removed. Preferably, the surface is removed through argon plasma bombardment, whether with low energy or high energy ions. Most preferably, ion milling is utilized, with superior results being obtained by milling at 90° to the surface of the substrate. The second step of the invention is to anneal the MgO substrate. This effects recrystallization of the substrate. In the preferred embodiment, the substrate is annealed at approximately 1050 °C in 17 % dry oxygen, 83 % dry nitrogen for 2.5 hours. Lower temperatures, such as 950 °C, may be utilized, though the anneal times, e.g., three hours or greater, impacts upon the commercial viability of the process. Higher temperatures, e.g., 1150 °C, permit steps in the surface to become unacceptably large, and often permit second phases to migrate to the surface of the substrate. Varying other factors, such as the oxygen partial pressure, change the optimal anneal temperature. Structurally, the resultant surface manifests steps or terraces, which comprise exposed peripheral edges of atomic planes within the substrate. Optionally, additional cleanings steps are performed. Devices fabricated from filling formed with the inventive method result in higher quality and more uniform devices.
(FR)L'invention concerne un procédé à reproductibilité améliorée permettant de fabriquer des dispositifs supraconducteurs à couche mince sur des substrats MgO. La première étape du procédé consiste à éliminer la surface d'oxyde de magnésium. De préférence, cette surface est éliminée par bombardement argon-plasma, soit avec des ions de faible énergie soit avec des ions à énergie élevée. Plus avantageusement, on a recours à la gravure ionique, les meilleurs résultats étant obtenus par gravure à 90° par rapport à la surface du substrat à 90°. La seconde étape du procédé consiste à effectuer le recuit du substrat MgO, ce qui produit la recristallisation du substrat. Selon le mode préféré de réalisation, le substrat est recuit durant 2,5 heures, à environ 1050 °C, dans 17 % d'oxygène sec et 83 % d'azote sec. On peut utiliser des températures moins élevées, de l'ordre de 950 °C par exemple, même si la durée de recuit, à savoir au moins trois heures, a une influence sur la viabilité commerciale du procédé. Des températures plus élevées, de l'ordre par exemple de 1150 °C, permettent aux gradins que présentent la surface de devenir trop grands, et permettent souvent aux secondes phases de migrer vers la surface du substrat. Le fait de faire varier d'autres facteurs, tels que la pression partielle d'oxygène, modifie la température de recuit optimale. En termes de structure, la surface obtenue présentent des gradins ou paliers étagés, qui comportent des bords périphériques exposés de plans atomiques à l'intérieur du substrat. On peut éventuellement procéder à des étapes de nettoyage supplémentaires. Les dispositifs fabriqués par remplissage à l'aide dudit procédé se révèlent être plus uniformes et de qualité supérieure.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)