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1. (WO1998050950) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PRODUCTION DE CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/050950    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/001537
Date de publication : 12.11.1998 Date de dépôt international : 07.05.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.05.1997    
CIB :
H01L 23/498 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
HITACHI MICROCOMPUTER SYSTEM, LTD. [JP/JP]; 22-1, Josuihoncho 5-chome, Kodaira-shi, Tokyo 187 (JP) (Tous Sauf US).
ICHITANI, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARUTA, Ryo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGUCHI, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMOTO, Ryosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIBAMOTO, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ICHITANI, Masahiro; (JP).
HARUTA, Ryo; (JP).
YAMAGUCHI, Toshihiro; (JP).
KIMOTO, Ryosuke; (JP).
SHIBAMOTO, Masanori; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, N.S. Excel 301, 22-45, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PRODUCTION DE CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)Bump electrodes which are the outer connection terminals of a package are made of elastic material. The stress which is produced by the difference in thermal expansion coefficient between the package and a printed wiring board on which the package is mounted is absorbed by the elastic deformation of the bump electrodes. The preferable elasticity of the elastic material of which the bump electrodes are made is 0.00001 Gpa to 5 Gpa and, more preferably, 0.001 Gpa to 1 Gpa.
(FR)Les électrodes à bosses qui forment les bornes de connexion externes d'un boîtier, sont formées dans un matériau élastique. La tension résultant de la différence de coefficient de dilatation thermique entre le boîtier et une carte imprimée sur laquelle le boîtier est monté est absorbée par la déformation élastique des électrodes à bosses. Le matériau de fabrication de ces électrodes à bosses présente de préférence une élasticité comprise entre 0,00001 Gpa et 5 Gpa, et plus particulièrement une élasticité comprise entre 0,001 Gpa et 1 Gpa.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)