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1. (WO1998050948) PROCEDE D'ATTAQUE DE PLAQUETTE EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/050948    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/008936
Date de publication : 12.11.1998 Date de dépôt international : 01.05.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.10.1998    
CIB :
H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive, P.O. Box 8, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : ERK, Henry; (US).
IWAMOTO, Yoshio; (JP).
SUZUKI, Yoshihiro; (JP).
KIYOTOSHI, Ikeda; (JP)
Mandataire : HEJLEK, Edward, J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, 16th floor, One Metropolitan Square, St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
9/114556 02.05.1997 JP
09/070,680 30.04.1998 US
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING SILICON WAFER
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE DE PLAQUETTE EN SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching a silicon wafer includes the steps of: lapping a silicon wafer; etching the silicon wafer; and polishing the silicon wafer; wherein the etching step includes an etching treatment and a rinsing treatment, and at least an oxidizing agent is added to a rinse to be used for the rinsing treatment, thereby forming an oxidation film on a surface of the silicon wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé d'attaque de plaquette en silicium, qui comprend les étapes suivantes: rodage d'une plaquette en silicium; attaque de ladite plaquette; et polissage de cette plaquette; la phase d'attaque comporte à la fois un traitement d'attaque et un traitement de rinçage, et au moins un oxydant est ajouté au liquide de rinçage pour le traitement de rinçage, ce qui entraîne la formation d'une pellicule d'oxydation à la surface de la plaquette en silicium.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)