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1. (WO1998050929) PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN CONDENSATEUR ELECTROLYTIQUE TRANSISTORISE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/050929    N° de la demande internationale :    PCT/GB1998/001263
Date de publication : 12.11.1998 Date de dépôt international : 30.04.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.12.1998    
CIB :
H01G 9/00 (2006.01)
Déposants : AVX LIMITED [GB/GB]; Tantalum Division, Long Road, Paignton, Devon TQ4 7ER (GB) (AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CU, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GE, GH, GM, GN, GR, GW, HU, ID, IE, IL, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW only).
HARRIS, Peter [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
MILLMAN, William [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : HARRIS, Peter; (GB).
MILLMAN, William; (GB)
Mandataire : BROWN, Fraser, Gregory, James; FJ Cleveland, 40-43 Chancery Lane, London WC2A 1JQ (GB)
Données relatives à la priorité :
9708944.5 01.05.1997 GB
Titre (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING A SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN CONDENSATEUR ELECTROLYTIQUE TRANSISTORISE
Abrégé : front page image
(EN)This application concerns methods of manufacturing capacitors, and in particular solid state electrolytic capacitors, such as those made from porous tantalum. According to the present invention, there is provided a method of manufacturing one or more solid state electrolytic capacitors comprising: (i) forming an anode comprising a porous sintered anode body with a riser wire protruding therefrom, (ii) forming a dielectric layer on the anode body, (iii) applying a resist layer to a portion of the riser wire to be kept clear of a cathode layer material, (iv) forming a cathode layer on the anode body by a method including immersion of the anode body into a cathode-layer-forming solution, (v) causing the resist layer to become detached thereby to remove unwanted cathode material contamination from the riser wire. In this way any splashed cathode precursor solution is removed along with the resist layer, the resist layer acting to protect the riser wire in the region where contamination is sought to be prevented.
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication de condensateurs et, en particulier, de condensateurs électrolytiques transistorisés, tels que ceux réalisés à partir de tantale poreux. Selon la présente invention, le procédé de fabrication d'un ou plusieurs condensateurs électrolytiques consiste à (i) former une anode comportant un corps d'anode poreux fritté à partir duquel un fil montant fait saillie; (ii) former une couche diélectrique sur le corps de l'anode; (iii) appliquer une couche de résist sur une partie du fil montant qui ne doit pas être recouverte d'une matière couche cathodique; (iv) former une couche cathodique sur le corps de l'anode grâce à un procédé consistant à immerger le corps de l'anode dans une solution caractérisée par la formation d'une couche cathodique; (v) provoquer le détachement de la couche de résist pour supprimer, de ce fait, la contamination involontaire du fil montant par la matière couche cathodique. Toutes les éclaboussures de solution précurseur cathodique sont donc supprimées, de même que la couche de résist, cette dernière ayant pour rôle de protéger le fil montant au niveau de la zone dont on cherche à empêcher la contamination.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)