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1. (WO1998049723) PROCEDE DE PLANAGE DE LA SURFACE SUPERIEURE D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/049723    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/008693
Date de publication : 05.11.1998 Date de dépôt international : 30.04.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.10.1998    
CIB :
B24B 37/22 (2012.01), B24B 37/24 (2012.01), B24D 11/00 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY [US/US]; 3M Center, P.O. Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US) (AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CU, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GE, GH, GM, GN, GR, GW, HU, ID, IE, IL, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW only).
KAISAKI, David, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRANZ, Heather, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
WOOD, Thomas, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
HARDY, L., Charles [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KAISAKI, David, A.; (US).
KRANZ, Heather, K.; (US).
WOOD, Thomas, E.; (US).
HARDY, L., Charles; (US)
Mandataire : FEULNER, Gregory, J.; Minnesota Mining and Manufacturing Company, Office of Intellectual Property Counsel, P.O. Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Données relatives à la priorité :
08/846,726 30.04.1997 US
Titre (EN) METHOD OF PLANARIZING THE UPPER SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE DE PLANAGE DE LA SURFACE SUPERIEURE D'UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)This invention pertains to a method of modifying or refining the surface of a wafer suited for semiconductor fabrication. This method may be used to modify a wafer having an unmodified, exposed surface comprised of a layer of second material deployed over at least one discrete feature of a first material attached to the wafer. A first step of this method comprises contacting and relatively moving the exposed surface of the wafer with respect to an abrasive article, wherein the abrasive article comprises an exposed surface of a plurality of three-dimensional abrasive composite comprising a plurality of abrasive particles fixed and dispersed in a binder and maintaining contact to effect removal of the second material. In a second step, the contact and relative motion are continued until an exposed surface of the wafer has at least one area of exposed first material and at least one area of exposed second material.
(FR)Cette invention concerne à un procédé de modification ou d'affinage de la surface d'une plaquette adaptée à la fabrication d'un semi-conducteur. Ce procédé peut être utilisé pour la modification d'une plaquette présentant une surface exposée, non modifiée, constituée d'une couche d'un second matériau réparti sur au moins une caractéristique discrète d'un premier matériau attaché à la plaquette. La première étape de ce procédé consiste à mettre la surface exposée de la tranche en contact avec un article abrasif et à la déplacer par rapport à ce dernier. Ledit article abrasif comprend une surface exposée constituée d'une pluralité d'un composite abrasif tridimensionnel constitué d'une pluralité de particules abrasives fixes et dispersées dans un liant et maintenant un contact de façon à effectuer l'enlèvement du second matériau. Dans la seconde étape, on prolonge le contact et le mouvement relatif jusqu'à ce qu'une surface exposée de la plaquette présente au moins une partie du premier matériau exposée et au moins une partie du second matériau exposée.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)