WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998049719) DIOXYDE DE SILICIUM NON DOPE SERVANT D'ARRET D'ATTAQUE POUR ATTAQUE SELECTIVE DE DIOXYDE DE SILICIUM DOPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/049719    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/002826
Date de publication : 05.11.1998 Date de dépôt international : 16.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.10.1998    
CIB :
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : KO, Kei-Yu; (US)
Mandataire : DESANDRO, Bradley, K.; Workman, Nydegger & Seeley, 1000 Eagle Gate, 60 East South Temple, Salt Lake City, UT 84111 (US)
Données relatives à la priorité :
08/846,671 30.04.1997 US
Titre (EN) UNDOPED SILICON DIOXIDE AS ETCH STOP FOR SELECTIVE ETCH OF DOPED SILICON DIOXIDE
(FR) DIOXYDE DE SILICIUM NON DOPE SERVANT D'ARRET D'ATTAQUE POUR ATTAQUE SELECTIVE DE DIOXYDE DE SILICIUM DOPE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a process for selectively plasma etching a structure upon a semiconductor substrate (12) to form designated topographical structure thereon utilizing an undoped silicon dioxide layer (22) as an etch stop. In one embodiment, a substantially undoped silicon dioxide layer (22) is formed upon a layer of semiconductor material (12). A doped silicon dioxide layer (30) is then formed upon said undoped silicon dioxide layer (16). The doped silicon dioxide layer (30) is etched to create the topographical structure. The etch has a material removal rate that is at least 10 times higher for doped silicon dioxide (30) than for undoped silicon dioxide (16) or the semiconductor material.
(FR)L'invention concerne un procédé d'attaque sélective au plasma d'une structure sur un substrat (12) de semi-conducteur pour former une structure topographique désignée sur celui-ci au moyen d'une couche (2) de dioxyde de silicium non dopé servant d'arrêt d'attaque. Selon un mode de réalisation, une couche (22) de dioxyde de silicium sensiblement non dopé est formée sur une couche de matériau (12) semi-conducteur. Une couche (30) de dioxyde de silicium dopé est ensuite formée sur ladite couche (16) de dioxyde de silicium non dopé. La couche (30) de dioxyde de silicium dopé est attaquée afin de créer la structure topographique. L'attaque présente un taux d'enlèvement de matériau qui est au moins 10 fois supérieur pour un dioxyde (30) de silicium dopé que pour un dioxyde (16) de silicium non dopé ou pour le matériau semi-conducteur.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)