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1. (WO1998049587) PROCEDE ET APPAREIL DE MODULATION DE PLASMONS GUIDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/049587    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/008765
Date de publication : 05.11.1998 Date de dépôt international : 30.04.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.11.1998    
CIB :
G02B 6/34 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01)
Déposants : TRUSTEES OF THE STEVENS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; Castle Point on Hudson, Hoboken, NJ 07030 (US) (AT, AU, BE, CA, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE only).
NERSES, Annita [US/US]; (US) (US Seulement).
KUNHARDT, Erich, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NERSES, Annita; (US).
KUNHARDT, Erich, E.; (US)
Mandataire : FRISCIA, Michael, R.; Friscia & Nussbaum, One University Plaza, Hackensack, NJ 07601 (US)
Données relatives à la priorité :
60/045,320 01.05.1997 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MODULATION OF GUIDED PLASMONS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE MODULATION DE PLASMONS GUIDES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method and apparatus for the generation, manipulation and detection of plasmon, and/or solitons, both linear and non linear, in semi-conductor heterostructures. The apparatus includes a galium arsonide substrate, a two-dimensional electron gas well (2-DEG) (160) form thereon and a thin layer of Aluminum galium arsonide (AlGaAs) placed thereover. Launcher (130) and receiver lines (132, 134, 136) are formed on the A1GaAs layer. Each of the launcher (130) and receiver lines (132, 134, 136) includes coplanar waveguides which preferably consist of two to three metal lines. One line is interconnected with a photoconductive switch (120) and can be pulsed. The other line or lines are grounded. Pulsing the line forms an electric field which can be detected. Between the launcher and (130) and the receiver (140), the plasmon can be modulated by one or more additional gates line extending over the 2-DEG.
(FR)Procédé et appareil de génération, de manipulation et de détection de plasmons et/ou de solitons, à la fois linéaires et non linéaires, dans des hétérostructures à semi-conducteurs. Ledit appareil comporte un substrat en arséniure de gallium (AsGa), un puits de gaz d'électrons à deux dimensions (2-DEG) formé sur le substrat et une mince couche d'arséniure d'aluminium et de gallium (AsAlGa) placée sur le puits. Des lignes de circuit d'émission (130) et de réception (132, 134, 136) sont formées sur la couche de AsAlGa. Chacune de ces lignes d'émission (130) et de réception (132, 134, 136) comporte des guides coplanaires qui sont constitués de préférence de deux à trois lignes métalliques. Une ligne est interconnectée à un commutateur photoconducteur (120) et peut être pulsée. L'autre ligne ou les autres lignes sont mises à la terre. Le fait de faire pulser les lignes forme un champ électrique qui peut être détecté. Entre l'émetteur (130) et le récepteur (140), le plasmon peut être modulé par une ou plusieurs lignes de porte supplémentaires qui s'étendent sur le 2-DEG.
États désignés : AU, CA, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)