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1. (WO1998049378) PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/049378    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/001975
Date de publication : 05.11.1998 Date de dépôt international : 30.04.1998
CIB :
C30B 15/30 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO SITIX CORPORATION [JP/JP]; 1, Higashihamacho Amagasaki-shi Hyogo 660-0844 (JP) (DE only).
IZUMI, Teruo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IZUMI, Teruo; (JP)
Mandataire : UBUKATA, Motoshige; 6-15, Kawaramachi 4-chome Chuo-ku Osaka-shi Osaka 541-0048 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/128020 30.04.1997 JP
Titre (EN) METHOD FOR SINGLE CRYSTAL GROWTH
(FR) PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL
Abrégé : front page image
(EN)A method for single crystal growth which comprises pulling a single crystal (6) by the CZ method from a starting melt (5) with a cusped magnetic field applied thereto. Regarding a crucible (3) for containing therein the starting melt (5), the inner diameter U is adjusted to (Y + 140 mm) to less than 3Y, wherein Y represents the outer diameter of the single crystal (6). In a state where the cusped magnetic field has been applied, a high pulling yield can be maintained even when the inner diameter U is reduced. Reducing the inner diameter U serves to improve the yields of oxygen and non-dislocation. This in turn can improve the yield of the preparation of the single crystal (6).
(FR)L'invention a pour objet un procédé de tirage de monocristal, qui consiste à tirer un monocristal (6) par la méthode Czochralski à partir d'un bain de départ (5) auquel un champ magnétique cuspidé est appliqué. Le creuset (3) contenant le bain de départ (5) possède un diamètre intérieur U réglé entre (Y + 140 mm) et moins de 3Y, Y représentant le diamètre extérieur du monocristal (6). Une fois l'application du champ magnétique cuspidé effectuée, on peut maintenir un rendement élevé du tirage, même lorsque le diamètre intérieur U est réduit. On réduit le diamètre intérieur U pour améliorer le rendement de l'oxygène et la nondislocation, ce qui permet d'améliorer le rendement de la préparation du monocristal (6).
États désignés : DE, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)