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1. (WO1998049121) AGGLOMERE DE ZIRCONE SEMICONDUCTEUR ET ELEMENT ELIMINATEUR D'ELECTRICITE STATIQUE COMPRENANT UN AGGLOMERE DE ZIRCONE SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/049121    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/001882
Date de publication : 05.11.1998 Date de dépôt international : 22.04.1998
CIB :
C04B 35/486 (2006.01), F16C 33/04 (2006.01), G11B 17/038 (2006.01), G11B 5/53 (2006.01), G11B 5/11 (2006.01), G11B 5/187 (2006.01), G11B 5/40 (2006.01), G11B 5/48 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 5-22, Kitainoue-cho, Higashino, Yamashina-ku, Kyoto-shi, Kyoto 607-8141 (JP) (Tous Sauf US).
MIKAKI, Shunji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAMASHIMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWASAKI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWAMOTO, Kuniharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHARA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKUMURA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HINO, Syouji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NABESHIMA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIKAKI, Shunji; (JP).
HAMASHIMA, Hiroshi; (JP).
IWASAKI, Kouichi; (JP).
IWAMOTO, Kuniharu; (JP).
NAKAHARA, Masahiro; (JP).
OKUMURA, Masahiro; (JP).
HINO, Syouji; (JP).
NABESHIMA, Yutaka; (JP)
Mandataire : TAKAGI, Yoshiteru; Nishi-Yachiyo Building, 23-26, Edobori 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 550-0002 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/109159 25.04.1997 JP
9/109855 25.04.1997 JP
9/174856 30.06.1997 JP
9/235270 29.08.1997 JP
9/299185 30.10.1997 JP
10/86299 31.03.1998 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTIVE ZIRCONIA SINTER AND DESTATICIZING MEMBER COMPRISING SEMICONDUCTIVE ZIRCONIA SINTER
(FR) AGGLOMERE DE ZIRCONE SEMICONDUCTEUR ET ELEMENT ELIMINATEUR D'ELECTRICITE STATIQUE COMPRENANT UN AGGLOMERE DE ZIRCONE SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductive zirconia sinter which can be easily produced at low cost and release static electricity at an appropriate rate without considerably lowering the mechanical properties of zirconia. A semiconductive zirconia sinter having a volume resistivity of 10?5¿ to 10?9¿ $g(V) .cm is formed by incorporating 10 to 40 wt.% at least one conductivity imparting agent selected among oxides of iron, cobalt, nickel, and chromium into 60 to 90 wt.% ZrO¿2? containing a stabilizer.
(FR)L'invention a pour objet un aggloméré de zircone semiconducteur qui peut être produit aisément, à faibles coûts, et libère une électricité statique, à une vitesse appropriée, sans réduire considérablement les propriétés mécaniques du zircone. Un aggloméré de zircone semiconducteur, présentant une résistivité comprise entre 10?5¿ et 10?9¿ $g(V) .cm est formé en intégrant 10 à 40 % en poids d'au moins un agent conférant une conductivité, sélectionné parmi des oxydes de fer, cobalt, nickel, et chrome dans 60 à 90 % en poids de ZrO¿2? contenant un stabilisant.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)