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1. (WO1998042034) STRUCTURE HETERARCHIQUES DESTINEES A ETRE UTILISEES DANS UN DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/042034    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/005098
Date de publication : 24.09.1998 Date de dépôt international : 16.03.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.10.1998    
CIB :
H01L 35/16 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : HARMAN, Theodore, C.; (US).
DRESSELHAUS, Mildred, S.; (US).
SPEARS, David, L.; (US).
WALSH, Michael, P.; (US).
CRONIN, Stephen, B.; (US).
SUN, Xiangzhong; (US).
KOGA, Takaaki; (US)
Mandataire : DALY, Christopher, S.; Daly, Crowley and Mofford, LLP, P.O. Box 5057, Norwell, MA 02061-2516 (US)
Données relatives à la priorité :
60/040,936 17.03.1997 US
  16.03.1998 US (Priority Withdrawn 01.05.1998)
Titre (EN) SUPERLATTICE STRUCTURES FOR USE IN A THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) STRUCTURE HETERARCHIQUES DESTINEES A ETRE UTILISEES DANS UN DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A superlattice structure for thermoelectric power generation includes m monolayers of a first barrier material alternating with n monolayers of a second quantum well material with a pair of monolayers defining a superlattice period and each of the materials having a relatively smooth interface therebetween. Each of the quantum well layers has a thickness which is less than the thickness of the barrier layer by an amount which causes substantial confinement of conduction carriers to the quantum well layer and the alternating layers provide a superlattice structure having a figure of merit which increases with increasing temperature.
(FR)On décrit une structure hétérarchique desetinée à un convertisseur thermoélectrique, qui comprend des couches monomoléculaires m d'un premier matériau barrière alternant avec des couches monomoléculaires n d'un deuxième matériau à puits quantique, une paire de couches monomoléculaires déterminant une période hétérarchique et lesdits matériaux présentant chacun une interface relativement lisse entre ladite paire. Chacune des couches à puits quantique présente une épaisseur inférieure à celle de la couche barrière, dans une proportion telle qu'elle provoque un confinement important de supports de conduction à la couche à puits quantique, et les couches alternatives produisent une structure hétérarchique comportant un facteur de mérite qui augmente à mesure que la température augmente.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)