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1. (WO1998042030) ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/042030    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/001135
Date de publication : 24.09.1998 Date de dépôt international : 18.03.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.09.1998    
CIB :
H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-0013 (JP) (Tous Sauf US).
HATA, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HATA, Toshio; (JP)
Mandataire : NOGAWA, Shintaro; Minamimorimachi Park Building, 1-3, Nishitenma 5-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0047 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/65727 19.03.1997 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light emitting element comprising a semiconductor layer which gives rise to a current blocking area and a current injecting area to the surface, a current blocking layer which is formed on the semiconductor layer for constituting the current blocking area, a pad electrode formed on the current blocking layer, and a light-transmissive electrode formed on the semiconductor layer for constituting the current injecting area, characterized in that the pad electrode has an electrode connecting section which is connected to the light-transmissive electrode. Since the occurrence of the cases where the injection of an electric current into the light emitting element becomes impossible due to the disconnection of the light-transmissive electrode and the increase of the resistance value of the light-transmissive electrode can be prevented, it becomes possible to produce a light emitting element which can operate excellently in a high yield.
(FR)Cette invention se rapporte à un élément émetteur de lumière semi-conducteur comportant une couche semi-conductrice qui engendre une zone de blocage du courant et une zone d'injection du courant à la surface, une couche de blocage du courant qui est formée sur la couche semi-conductrice de manière à former la zone de blocage du courant, une électrode en plaque formée sur la couche de blocage du courant, et une électrode de transmission de la lumière formée sur la couche semi-conductrice de manière à constituer la zone d'injection du courant. Ledit élément se caractérise en ce que l'électrode en plaque possède une partie qui est connectée à l'électrode de transmission de la lumière. Etant donné que l'injection d'un courant électrique dans l'élément émetteur de lumière devient impossible en raison de la déconnexion de l'électrode de transmission de la lumière et que l'accroissement de la valeur de la résistance de l'électrode de transmission peut être évité, il est possible de fabriquer un élément émetteur de lumière qui peut fonctionner, de manière excellente, avec un rendement élevé.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)