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1. (WO1998042023) PROCEDE D'AMELIORATION DU VERROUILLAGE A L'ETAT PASSANT DE MOS COMPLEMENTAIRE PAR MEV BILLI (COUCHE IMPLANTEE ENTERRE POUR ISOLATION LATERALE) PLUS IMPLANTATION D'UNE COUCHE ENTERREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/042023    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/004696
Date de publication : 24.09.1998 Date de dépôt international : 11.03.1998
CIB :
H01L 21/761 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : GENUS, INC. [US/US]; 1139 Karlstad Drive Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventeurs : BORLAND, John, O.; (US)
Mandataire : NIELDS, Henry, C.; Nields, Lemack & Dingman Suite 8 176 E. Main Street Westboro, MA 01581 (US)
Données relatives à la priorité :
08/822,537 19.03.1997 US
Titre (EN) METHOD FOR CMOS LATCH-UP IMPROVEMENT BY MEV BILLI (BURIED IMPLANTED LAYER FOR LATERAL ISOLATION) PLUS BURIED LAYER IMPLANTATION
(FR) PROCEDE D'AMELIORATION DU VERROUILLAGE A L'ETAT PASSANT DE MOS COMPLEMENTAIRE PAR MEV BILLI (COUCHE IMPLANTEE ENTERRE POUR ISOLATION LATERALE) PLUS IMPLANTATION D'UNE COUCHE ENTERREE
Abrégé : front page image
(EN)CMOS vertically modulated wells (P-WELL, N-WELL) are constructed by using a blanket implant to form a blanket buried layer (p+BLANKET B.L) and then using clustered MeV ion implantation to form a structure having a buried implanted layer (BILLI) for lateral isolation in addition to said blanket buried layer.
(FR)On a construit des caissons (caisson d'isolement du type P, caisson d'isolement du type N) modulés verticalement par MOS complémentaire au moyen d'un implant de couverture pour former une couche enterrée de couverture (P+Couverture B.L), et ensuite en utilisant une implantation par ions MeV regroupés afin de former une structure présentant une couche implantée enterrée (BILLI) pour isolation latérale en plus de ladite couche enterrée de couverture.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)