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1. (WO1998041675) SOLUTIONS D'ELECTRODEPOSITION DE CUIVRE MONOVALENT, EXEMPTES DE CYANURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/041675    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/005211
Date de publication : 24.09.1998 Date de dépôt international : 17.03.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.10.1998    
CIB :
C25D 3/38 (2006.01)
Déposants : LEARONAL, INC. [US/US]; 272 Buffalo Avenue Freeport, NY 11520 (US) (Tous Sauf US).
BRASCH, William, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRASCH, William, R.; (US)
Mandataire : FANUCCI, Allan, A.; Pennie & Edmonds LLP 1155 Avenue of the Americas New York, NY 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
08/819,061 18.03.1997 US
Titre (EN) CYANIDE-FREE MONOVALENT COPPER ELECTROPLATING SOLUTIONS
(FR) SOLUTIONS D'ELECTRODEPOSITION DE CUIVRE MONOVALENT, EXEMPTES DE CYANURE
Abrégé : front page image
(EN)A substantially cyanide-free plating solution for depositing copper from the monovalent ionic state, which includes a source of copper ions, a reducing agent capable of reducing divalent copper ions to monovalent copper ions, an alkali material in an amount sufficient to maintain the pH of the solution in the range of about 7 to about 10, and a complexing agent of an imide, such as succinimide, 3-methyl-3-ethyl succinimide, 3-methyl succinimide, 3-ethyl succinimide, 3,3,4,4-tetramethyl succinimide, or 3,3,4-trimethyl succinimide, or a hydantoin, such as dimethyl hydantoin. The substantially cyanide-free plating solutions may also include at least one of a conductivity salt, an additive to promote brightness, or an alloying metal. The reducing agent may be an alkali sulfite, alkali bisulfite, hydroxylamine, or hydrazine. The copper is typically provided in the form of CuC1, CuC1¿2?, CuSO¿4?, or Cu¿2?0 in an amount sufficient to provide a copper ion concentration of from about 2 to about 30 grams per liter of solution, and the complexing agent is present in an amount sufficient to provide a molar ratio of copper ions to complexing agent of from about 1:1 to about 1:5, preferably about 1:4. The alkali material is typically NaOH, KOH, NH¿4?OH, or Na¿2?CO¿3?, and the conductivity salt is typically NaC1, KC1, Na¿2?SO¿4?, K¿4?P¿2?O¿7?, Na¿3?PO¿4?, C¿6?H¿5?Na¿3?O¿7?, C¿6?H¿11?NaO¿7?, NH¿4?C1, or KNaC¿4?H¿4?O¿6?. Useful additives include organic amines or oxyalkyl polyamines, such as triethylene tetramine, tetraethylene pentamine, and polyoxypropyl-triamine. Methods for preparing such a solution for plating copper onto a substrate, and of plating copper onto a substrate with such a solution are also disclosed.
(FR)L'invention concerne une solution d'électrodéposition sensiblement exempte de cyanure, utilisée pour le dépôt de cuivre à l'état ionique monovalent. Cette solution renferme une source d'ions cuivre, un agent réducteur capable de réduire les ions cuivre divalent en ions cuivre monovalent, une matière alcaline présente en quantité suffisante pour maintenir le pH de ladite solution entre 7 et 10 environ, et un agent complexant constitué d'un imide, par exemple un succinimide, un 3-méthyl-3-éthyl succinimide, un 3-méthyl succinimide, un 3-éthyl succinimide, un 3,3,4,4-tetraméthyl succinimide, ou un 3,3,4-triméthyl succinimide, ou une hydantoïne, par exemple une diméthyl hydantoïne. Ces solutions d'électrodéposition sensiblement exemptes de cyanure peuvent également renfermer au moins un sel de conductivité, un additif afin de favoriser la brillance, ou un métal d'alliage. L'agent réducteur peut être un sulfite alcalin, un bisulfite alcalin, une hydroxylamine, ou une hydrazine. Le cuivre se présente généralement sous la forme de CuC1, CuC1¿2?, CuSO¿4?, ou Cu¿2?0, en quantité suffisante pour qu'une concentration d'ions de cuivre de 2 à 30 grammes par litre de solution soit obtenue, l'agent complexant étant présent en quantité suffisante pour qu'un rapport molaire des ions de cuivre audit agent complexant d'environ 1:1 à environ 1:5, et de préférence 1:4 soit obtenu. La matière alcaline est généralement NaOH, KOH, NH¿4?OH, ou Na¿2?CO¿3?, le sel de conductivité étant généralement NaC1, KC1, Na¿2?SO¿4?, K¿4?P¿2?O¿7?, Na¿3?PO¿4?, C¿6?H¿5?Na¿3?O¿7?, C¿6?H¿11?NaO¿7?, NH¿4?C1, ou KNaC¿4?H¿4?O¿6?. Les additifs pouvant être utilisés sont notamment les amines organiques ou les oxyalkyl polyamines, par exemple la triéthylène tétramine, la tétraéthylène pentamine, et la polyoxypropyl-triamine. L'invention concerne également des procédés de préparation desdites solutions pour le dépôt du cuivre sur un substrat, ainsi que des procédés d'électrodéposition de cuivre sur un substrat au moyen desdites solutions.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)