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1. (WO1998040911) PROCEDES DE POLISSAGE CHIMIQUE MECANIQUE DE COUCHES DIELECTRIQUES POLYMERES ORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/040911    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/004778
Date de publication : 17.09.1998 Date de dépôt international : 12.03.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.10.1998    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : ALLIEDSIGNAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Inventeurs : HENDRICKS, Neil, H.; (US).
TOWERY, Daniel, L.; (US)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; AlliedSignal Inc., Law Dept. (E. Iannarone), 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07962-2245 (US)
Données relatives à la priorité :
60/040,448 13.03.1997 US
09/023,415 13.02.1998 US
Titre (EN) METHODS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISH OF ORGANIC POLYMER DIELECTRIC FILMS
(FR) PROCEDES DE POLISSAGE CHIMIQUE MECANIQUE DE COUCHES DIELECTRIQUES POLYMERES ORGANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A process for the formation and planarization of polymeric dielectric films on semiconductor substrates and for achieving high chemical mechanical polish removal rates when planarizing these films. A cured, globally planarized, polymeric dielectric thin film is produced on a semiconductor substrate by (a) depositing a polymeric, dielectric film composition onto a surface of a semiconductor substrate; (b) partially curing the deposited film; (c) performing a chemical mechanical polishing step to said partially cured dielectric film, until said dielectric film is substantially planarized; and (d) subjecting the polished film to an additional curing step. Preferred dielectric films are polyarylene ether and/or fluorinated polyarylene ether polymers which are deposited by a spin coating process onto a semiconductor substrate. A thermal treatment partially cures the polymer. A chemical mechanical polishing step achieves global planarization. Another thermal treatment accomplishes a final cure of the polymer. In this way, the chemical mechanical polishing removal rate is increased compared to the removal rate for a fully cured polymer film.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication et d'aplanissement de couches diélectriques polymères sur des substrats semiconducteurs, ce procédé permettant d'atteindre des vitesses élevées d'élimination des aspérités présentes sur ces couches grâce à un polissage chimique mécanique, lorsque lesdites couches sont aplanies. Une couche mince diélectrique polymère, à la fois durcie et aplanie, est placée sur un substrat semiconducteur selon les étapes qui consistent: a) à former un dépôt d'une composition de couche diélectrique polymère sur la surface d'un substrat semiconducteur; b) à faire durcir partiellement cette couche formée par dépôt; c) procéder à un polissage chimique mécanique de cette couche formée par dépôt et partiellement durcie, jusqu'à ce que celle-ci soit sensiblement aplanie; d) à soumettre cette couche polie à une étape de durcissage supplémentaire. Les couches diélectriques préférées sont le polyarylène éther et/ou les polymères de polyarylène éther fluorés, qui sont formés par dépôt, sur un substrat semiconducteur, selon un processus de revêtement par centrifugation. Un traitement thermique permet de durcir partiellement le polymère, avant qu'une étape de polissage chimique mécanique ne l'aplanisse totalement, et qu'un autre traitement thermique n'achève de le durcir. La vitesse d'élimination des aspérités présentes sur les couches diélectriques par polissage chimique mécanique est ainsi amélioré par rapport à la vitesse d'élimination des aspérités d'une couche polymère entièrement durcie.
États désignés : AL, AU, BA, BB, BG, BR, CA, CN, CU, CZ, EE, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KP, KR, LK, LR, LS, LT, LV, MG, MK, MN, MW, MX, NZ, PL, RO, RU, SD, SG, SI, SK, SL, TR, TT, UA, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)