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1. (WO1998040892) CIRCUIT DE COMMANDE DE POMPAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/040892    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/005046
Date de publication : 17.09.1998 Date de dépôt international : 13.03.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.10.1998    
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 8/08 (2006.01), G11C 11/4074 (2006.01), G11C 11/408 (2006.01)
Déposants : HYUNDAI ELECTRONICS AMERICA, INC. [US/US]; 3101 North First Street, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : PINKHAM, Ray; (US).
LAZAR, Paul; (US).
YEO, Cheow, F.; (US)
Mandataire : HEWETT, Scott, W.; Townsend and Townsend and Crew LLP, 8th floor, Two Embarcadero Center, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
08/818,802 14.03.1997 US
08/847,885 28.04.1997 US
Titre (EN) PUMP CONTROL CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE DE POMPAGE
Abrégé : front page image
(EN)A dynamic random access memory circuit achieves much higher data bandwidth by maximizing the number of memory cell rows that are held open and by indefinitely increasing the time that the rows are open. The boosted voltage of a pump circuit (350) is directed to active rows (111) according to the presence of a pump token. The pump token is present at one location in a circular shift register corresponding to a memory array (850). The concurrence of the token and a pump-enable signal causes that array to receive a boosted voltage independant of an array-select operation.
(FR)L'invention concerne un circuit de mémoire vive dynamique permettant d'obtenir des largeurs de bande de données plus élevées par maximisation du nombre de rangées de cellules de mémoire qui sont maintenues ouvertes, et par accroissement indéfini du temps pendant lequel les cellules sont ouvertes. La tension survoltée d'un circuit de pompage (350) est dirigée vers des rangées actives (111) en fonction de la présence d'un jeton de pompage. Le jeton de pompage se trouve à un emplacement situé dans un registre de décalage circulaire correspondant à un tableau de mémoire (850). L'effet concomitant du jeton et d'un signal activé par pompage provoque la réception, par le tableau, d'une tension survoltée indépendante d'une opération de sélection de tableau.
États désignés : DE, GB, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)