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1. (WO1998039827) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DE GALLIUM MUNI D'UNE ZONE ACTIVE PRESENTANT UNE STRUCTURE DE MULTIPLEXAGE A PUITS QUANTIQUE ET UN DISPOSTIF SEMI-CONDUCTEUR A SOURCES DE LUMIERE UTILISANT LE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/039827    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/000828
Date de publication : 11.09.1998 Date de dépôt international : 27.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.1998    
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
OKUMURA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUMURA, Toshiyuki; (JP)
Mandataire : AOYAMA, Tamotsu; Aoyama & Partners, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/52596 07.03.1997 JP
9/65725 19.03.1997 JP
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT WITH ACTIVE LAYER HAVING MULTIPLEX QUANTUM WELL STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LASER LIGHT SOURCE DEVICE
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DE GALLIUM MUNI D'UNE ZONE ACTIVE PRESENTANT UNE STRUCTURE DE MULTIPLEXAGE A PUITS QUANTIQUE ET UN DISPOSTIF SEMI-CONDUCTEUR A SOURCES DE LUMIERE UTILISANT LE LASER
Abrégé : front page image
(EN)A gallium nitride semiconductor laser element which is provided with an active layer (6) made of a nitride semiconductor containing at least indium and gallium between an n-type clad layer (5) and a p-type clad layer (9). The active layer (6) is composed of two quantum well layers (14) and a barrier layer (15) put between the layers (14) and constitutes the oscillating section of the semiconductor laser element. The preferable thicknesses of the quantum well layers (14) and the barrier layer (15) are not longer than 10 nm. In this semiconductor laser element, electrons and holes can be uniformly distributed in the two quantum well layers (14) and, in addition, the injection of electrons and holes into the quantum well layers (14) can be effectively performed when the electrons and the holes injected into the layers (14) have already been dissipated by recombination. Consequently, the semiconductor laser element has an excellent laser oscillation characteristic.
(FR)L'invention concerne un élément laser à semi-conducteur à base de nitrure de gallium, qui comporte une zone active (6) constituée d'un semi-conducteur à base de nitrure contenant au moins de l'indium et du gallium entre une couche plaquée de type N (5) et une couche plaquée de type P (9). La zone active (6) est composée de deux couches à puits quantique (14) et d'une couche limite (15) intercalée entre lesdites couches (14), et constitue le champ d'oscillation de l'élément laser à semi-conducteur. De préférence, l'épaisseur des couches à puits quantique (14) et de la couche limite (15) ne dépasse pas 10 nm. Dans ledit élément laser à semi-conducteur, les électrons et les trous peuvent être répartis uniformément dans les deux couches à puits quantique (14), et l'injection d'électrons et de trous à l'intérieur des couches à puits quantique (14) peut en outre être réalisée efficacement après que les électrons et les trous injectés dans ces couches (14) aient été dissipés par recombinaison. On obtient ainsi un élément laser à semi-conducteur présentant une excellente caractéristique d'oscillation laser.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)