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1. (WO1998039797) SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE RELATIF AUX SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/039797    N° de la demande internationale :    PCT/SE1998/000388
Date de publication : 11.09.1998 Date de dépôt international : 04.03.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.09.1998    
CIB :
H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/8222 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) [SE/SE]; S-126 25 Stockholm (SE)
Inventeurs : SJÖDIN, Håkan; (SE).
SÖDERBÄRG, Anders; (SE).
ÖGREN, Nils; (SE).
HAMBERG, Ivar; (SE).
OLOFSSON, Dimitri; (SE).
ANDERSSON, Karin; (SE)
Mandataire : HERBJØRNSEN, Rut; Albihns Patentbyrå Stockholm AB, P.O. Box 3137, S-103 62 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
9700773-6 04.03.1997 SE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR AND METHOD RELATING TO SEMICONDUCTORS
(FR) SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE RELATIF AUX SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing method for semiconductor components is disclosed which will allow better precision in the definition of the doped areas of the components and the separation of differently doped areas. A selectively shaped area of, for example, polysilicon, defining the area or areas to be doped, is deposited on the component before the masks are applied. This makes the fitting of the masks less critical, as they only have to be fitted within the area of the polysilicon layer. In this way an accuracy of 0.1 $g(m)m or better can be achieved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de composants semiconducteurs offrant une plus grande précision dans la définition des zones dopées des composants et dans la séparation de zones différemment dopées. Une zone de forme choisie, par exemple, en silicium polycristallin, définissant la ou les zones à doper, est déposée sur le composant avant l'application des masques. Cela rend l'ajustement des masques moins critique puisqu'il suffit de les ajuster dans la zone de la couche de silicium polycristallin. On obtient ainsi une précision d'au moins 0,1 $g(m)m.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)