WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998039708) MEMOIRE DE DONNEES A CIRCUIT REDONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/039708    N° de la demande internationale :    PCT/DE1998/000274
Date de publication : 11.09.1998 Date de dépôt international : 30.01.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.08.1998    
CIB :
G11C 16/08 (2006.01), G11C 29/00 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacher Platz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
ZETTLER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ZETTLER, Thomas; (DE)
Données relatives à la priorité :
197 08 965.8 05.03.1997 DE
Titre (DE) DATENSPEICHER MIT EINER REDUNDANZSCHALTUNG
(EN) MEMORY WITH REDUNDANCY CIRCUIT
(FR) MEMOIRE DE DONNEES A CIRCUIT REDONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Datenspeicher, der die folgenden Merkmale aufweist: wenigstens ein Speicherzellenfeld, das Speicherzellen aufweist, eine Redundanzschaltung, die wenigsten eine Redundanzspeicherzelle aufweist, eine Redundanz-Selektionsleitungsauswahlschaltung, die mindestens einen Zuordnungsspeicher aufweist, in dem eine Zuordnungsinformation abspeicherbar ist, wobei aufgrund der Zuordnungsinformation wenigstens eine Redundanz-Speicherzelle zu wenigstens einer Speicherzelle zuordenbar ist; der Zuordnungsspeicher weist zur Aufnahme der Zuordnungsinformation eine Zuordnungsspeicherzelle mit einem Zwischenspeicher auf. Bei den bekannten Datenspeichern sind je nach dem verwendeten Programmierverfahren beim Zuordnen von Redundanzspeicherzellen zu Speicherzellen relativ lange Programmierzeiten erforderlich. Bei den erfindungsgemäßen Datenspeichern ist die Zuordnungsinformation vom Zwischenspeicher in die Zuordnungsspeicherzelle übertragbar. Dadurch können schnell und mit geringem Energieverbrauch Redundanzspeicherzellen zu defekten Speicherzellen zugeordnet werden.
(EN)The invention relates to a memory characterized in that it comprises at least one memory cell array containing memory cells, a redundancy circuit containing at least one redundancy memory cell, and a redundancy-selecting line selector circuit having at least one allocation memory in which allocation information can be stored, whereby on the basis of said allocation information at least one redundancy memory cell can be assigned to at least one memory cell. In addition, the allocation memory has an allocation memory cell with an intermediate memory for storing the allocation information. Depending on the programming method used, known memories require relatively long programming periods for assigning redundancy memory cells to memory cells. In the case of the memories provided for by the invention, the allocation information can be transferred from the intermediate memory to the allocation memory cell, thus making it possible for redundancy memory cells to be assigned to defective memory cells rapidly and in an energy-efficient manner.
(FR)L'invention concerne une mémoire de données à circuit redondant caractérisée en ce qu'elle présente au moins une zone de cellules mémoires contenant des cellules mémoires; un circuit redondant comportant au moins une cellule mémoire redondante; un circuit sélecteur de ligne de sélection de redondance, présentant au moins une mémoire d'affectation dans laquelle peut être stockée une information d'affectation sur la base de laquelle au moins une cellule mémoire redondante peut être affectée à au moins une cellule mémoire. La mémoire de données de l'invention est caractérisée en outre en ce que la mémoire d'affectation présente une cellule mémoire d'affectation avec une mémoire tampon pour stocker l'information d'affectation. Les mémoires de données de la technique antérieure nécessitent des temps de programmation relativement longs, en fonction du procédé de programmation utilisé, pour l'affectation de cellules mémoires redondantes à des cellules mémoires. Dans le cas des mémoires de données de l'invention, l'information d'affectation peut être transférée de la mémoire tampon dans la cellule mémoire d'affectation. Ainsi, il est possible d'affecter, rapidement et avec une faible consommation d'énergie, des cellules mémoires redondantes à des cellules mémoires défectueuses.
États désignés : BR, CN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)