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1. (WO1998039491) PROCEDE DE LIXIVIATION DE CHALCOPYRITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/039491    N° de la demande internationale :    PCT/GB1997/000585
Date de publication : 11.09.1998 Date de dépôt international : 03.03.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.10.1998    
CIB :
C22B 3/08 (2006.01), C22B 15/00 (2006.01)
Déposants : MINTEK [ZA/ZA]; 200 Hans Strijdom Drive, Randburg, Johannesburg, Gauteng Province (ZA) (Tous Sauf US).
PINCHES, Anthony [GB/ZA]; (ZA) (US Seulement).
MYBURGH, Peter, John [ZA/ZA]; (ZA) (US Seulement).
VAN DER MERWE, Charmaine [ZA/ZA]; (ZA) (US Seulement)
Inventeurs : PINCHES, Anthony; (ZA).
MYBURGH, Peter, John; (ZA).
VAN DER MERWE, Charmaine; (ZA)
Mandataire : MALLALIEU, Catherine, Louise; D. Young & Co., 21 New Fetter Lane, London EC4A 1DA (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A PROCESS FOR THE LEACHING OF CHALCOPYRITE
(FR) PROCEDE DE LIXIVIATION DE CHALCOPYRITE
Abrégé : front page image
(EN)A process is provided for the leaching of copper from chalcopyrite using ferric sulphate in which acceptable rates of leaching are achieved by controlling the surface potential of the chalcopyrite to an empirically determined 'window' within the broad range of 350 to 450 mV. The most effective process conditions involve the selection of the said surface potential; the leach temperature; the pH of the leach solution; and the fineness of the grind of the chalcopyrite. The invention may be applied to both tank leaching and heap leaching processes.
(FR)L'invention concerne un procédé de lixiviation du cuivre contenu dans la chalcopyrite au moyen d'un sulfate ferrique. Des taux acceptables de lixiviation sont obtenus par la régulation des conditions permettant de maintenir le potentiel de la surface de la chalcopyrite dans une plage comprise entre 350 et 450 mV en fonction d'une 'fenêtre' de variation empiriquement déterminée. L'efficacité du procédé dépend de la sélection dudit potentiel de surface; de la température de lixiviation; du pH de la solution de lixiviation et du degré de mouture de la chalcopyrite. L'invention peut être utilisée lors de procédés de lixiviation par cuve et lixiviation par tas.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)