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1. (WO1998038682) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR PROGRAMMABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/038682    N° de la demande internationale :    PCT/IB1998/000189
Date de publication : 03.09.1998 Date de dépôt international : 16.02.1998
CIB :
H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : WIDDERSHOVEN, Franciscus, Petrus; (NL)
Mandataire : HOUBIERS, Ernest, E., M., G.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
97200577.1 27.02.1997 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UN ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR PROGRAMMABLE
Abrégé : front page image
(EN)A very thin gate oxide is preferably used in non-volatile memories with floating gates for limiting the programming voltage. The minimum thickness of the gate oxide, however, is bound to certain limits in conventional memories because, if the oxide thickness is too small, the loss of charge from a programmed cell would become too great. The gate oxide is thicker than 7 nm in conventional memories for this reason. A non-volatile memory cell according to the invention comprises a gate oxide (9) with a thickness of no more than approximately 6 nm in combination with a p-type floating gate electrode (8). A lower programming voltage can be used thanks to the thin gate oxide, while a good data retention is maintained. The loss of charge is low because the electrons applied to the floating gate during programming recombine there with holes and are bound to the ionized acceptor atoms at a comparatively great distance from the interface between gate and oxide.
(FR)Avec cette invention, on utilise de préférence un oxyde de grille extrêmement fin dans des mémoires non volatiles pourvues de grilles flottantes destinées à limiter la tension de programmation. Toutefois, pour les mémoires conventionnelles, on maintient dans certaines limites l'épaisseur minimale de l'oxyde de grille parce que, si l'épaisseur de l'oxyde est trop faible, la perte de charge depuis une cellule programmée risque de devenir excessive. C'est pour cette raison que dans les mémoires conventionnelles, l'épaisseur de l'oxyde de grille est supérieure à 7 nm. Une cellule de mémoire non volatile selon l'invention comporte un oxyde de grille (9) d'une épaisseur ne dépassant pas environ 6 nm en association avec une électrode de grille flottante (8) de type p. La finesse de l'oxyde de grille permet d'utiliser une moindre tension de programmation tout en gardant une bonne qualité de conservation des données. La perte de charge est faible car les électrons envoyés sur la grille flottante pendant la programmation s'y recombinent avec les trous et se lient aux atomes accepteurs ionisés à une distance relativement importante de l'interface entre la grille et l'oxyde.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)