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1. (WO1998038681) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR POUVANT ETRE COMMANDE PAR EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/038681    N° de la demande internationale :    PCT/DE1998/000244
Date de publication : 03.09.1998 Date de dépôt international : 27.01.1998
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
PFIRSCH, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WERNER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HIRLER, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PFIRSCH, Frank; (DE).
WERNER, Wolfgang; (DE).
HIRLER, Franz; (DE)
Données relatives à la priorité :
197 07 513.4 25.02.1997 DE
Titre (DE) DURCH FELDEFFEKT STEUERBARES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) FIELD EFFECT CONTROLLABLE SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR POUVANT ETRE COMMANDE PAR EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein neuer IGBT in Planartechnologie vorgestellt, bei dem durch Einführung einer Abschirmungszone (13), die um die Basiszone (5) angeordnet ist, die Minoritätsladungsträgerdichte an der Katodenseite des IGBTS angehoben wird, was zu einer Reduzierung der Durchlaßspannung (V¿CESat?) führt. Das aufgrund des Konzentrationsgefälles zwischen der Abschirmungszone (13) und der Basiszone (6) entstehende Driftfeld bewirkt, daß die Innenzone (2) nicht mehr als Senke für die Minoritätsladungsträger wirkt. Damit die Durchbruchspannung des IGBT durch die Einführung der Abschirmungszone (13) nicht reduziert wird, wird ein nicht angeschlossenes, floatendes Gebiet hoher Leitfähigkeit im Bereich der Innenzone angeordnet, dessen unterer Rand (16) tiefer in der Innenzone (2) liegt als der untere Rand (14) der Abschirmungszone (13). Das nicht angeschlossene floatende Gebiet (15) ist vom entgegengesetzten Leitungstyp wie die Abschirmungszone (13) und die Innenzone (2).
(EN)Disclosed is a new planar technology IGBT, wherein minority charge carrier density on the cathode side of the IGBT is increased by introducing a shielding zone (13) which is arranged around a base zone (5), thereby leading to reduced conducting-state voltage (V¿CESat?). As a result of the drift field arising from the concentration gradient between the shielding zone (13) and the base zone (6), the inner zone (2) no longer acts as a drain for the minority charge carriers. In order to prevent a reduction in the IGBT breakdown voltage by introducing the shielding zone (13), an unconnected, floating, high-conductivity area is provided in the inner zone, wherein the lower edge (16) of said area is located further inside the inner zone(2) than the upper edge (14) of the shielding zone (13). The unconnected floating area provides a different type of conduction from the shielding zone and the inner zone (2).
(FR)L'invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée réalisé selon la technique planar, dans lequel, par introduction d'une zone de blindage (13) entourant la zone de base (5), la concentration des porteurs de charge minoritaires est augmentée côté cathode du transistor bipolaire à grille isolée, ce qui entraîne une réduction de la tension à l'état passant (V¿CESat?). Le champ de migration généré en raison du gradient de concentration entre la zone de blindage (13) et la zone de base (6) a pour effet que la zone interne (3) ne fait plus fonction de drain pour les porteurs de charge minoritaires. Afin que la tension de claquage du transistor bipolaire à grille isolée ne soit pas réduite par l'introduction de la zone de blindage (13), il est prévu une zone flottante non connectée, de conductivité élevée, au niveau de la zone interne, dont le bord inférieur (16) est situé à un niveau plus profond dans la zone interne (2) que le bord inférieur (14) de la zone de blindage (13). Cette zone flottante non connectée (15) présente un type de conduction opposé à celui de la zone de blindage (13) et de la zone interne (2).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)