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1. (WO1998038674) PROCEDES DE FORMATION DE FILM A DIELECTRIQUE ELEVE, FILM DIELECTRIQUE AINSI FORME ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/038674    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/002962
Date de publication : 03.09.1998 Date de dépôt international : 26.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.09.1998    
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/92 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83707 (US)
Inventeurs : DE BOER, Scott, J.; (US).
THAKUR, Randhir, P., S.; (US)
Mandataire : GEBHARDT, Mark, J.; Mueting, Raasch & Gebhardt, P.A., P.O. Box 581415, Minneapolis, MN 55458-1415 (US)
Données relatives à la priorité :
08/807,831 27.02.1997 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR FORMING A HIGH DIELECTRIC FILM AND THE DIELECTRIC FILM FORMED THEREBY
(FR) PROCEDES DE FORMATION DE FILM A DIELECTRIQUE ELEVE, FILM DIELECTRIQUE AINSI FORME ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a high dielectric oxide film conventionally formed using a post formation oxygen anneal to reduce the leakage current of such film includes forming a high dielectric oxide film on a surface. The high dielectric oxide film has a dielectric constant greater than about 4 and includes a plurality of oxygen vacancies present during the formation of the film. The high dielectric oxide film is exposed during the formation thereof to an amount of atomic oxygen sufficient for reducing the number of oxygen vacancies and eliminating the post formation oxygen anneal of the high dielectric oxide film. Further, the amount of atomic oxygen used in the formation method may be controlled as a function of the amount of oxygen incorporated into the high dielectric oxide film during the formation thereof or be controlled as a function of the concentration of atomic oxygen in a process chamber in which the high dielectric oxide film is being formed. An apparatus for forming the high dielectric oxide film is also described.
(FR)Le procédé de formation de film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé, classiquement constitué avec intervention d'un recuit de post formation influant sur la teneur en oxygène afin de réduire le courant de fuite de ce film, consiste à constituer un film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé sur une surface. Ce film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé possède une constante diélectrique supérieure à environ 4 et comporte plusieurs zones dépourvues d'oxygène présentes durant la formation du film. Ce film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé est exposé, durant sa formation, à de l'oxygène atomique en quantité suffisante pour réduire le nombre de zones dépourvues d'oxygène et supprimer le recours au recuit de post formation influant sur la teneur en oxygène. Il est, en outre, possible d'agir sur la quantité d'oxygène incorporé dans le film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé durant la formation de celui-ci et ce, en fonction de la concentration en oxygène atomique d'une chambre de traitement dans laquelle le film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé est constitué. L'invention porte également sur un dispositif permettant de produire le film d'oxyde protecteur à diélectrique élevé.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)