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1. (WO1998038351) DEPOT DIRECT DE PALLADIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/038351    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/003598
Date de publication : 03.09.1998 Date de dépôt international : 24.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.08.1998    
CIB :
C23C 18/08 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01)
Déposants : THE WHITAKER CORPORATION [US/US]; Suite 450, 4550 New Linden Hill Road, Wilmington, DE 19808 (US)
Inventeurs : SHARMA, Sunity, K.; (US).
BHASIN, Kuldip, K.; (US).
NARANG, Subhash, C.; (US).
NIGAM, Asutosh; (US)
Mandataire : VAN ATTEN, Mary, K.; The Whitaker Corporation, Suite 450, 4550 New Linden Hill Road, Wilmington, DE 19808 (US)
Données relatives à la priorité :
08/808,302 28.02.1997 US
Titre (EN) DIRECT DEPOSITION OF PALLADIUM
(FR) DEPOT DIRECT DE PALLADIUM
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a process for forming a layer of palladium on a substrate, comprising: preparing a solution of a palladium precursor, wherein the palladium precursor consists of Pd(OOCR?1¿)¿m?(OOCR?2¿)¿n?, wherein R?1¿ is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkynyl, -R?3¿COOH, alkyl from 1 to 5 carbons substituted with one or two hydroxyl groups, R?2¿ is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkynyl, -R?3¿COOH, alkyl from 1 to 5 carbon atoms substituted with one or two hydroxyl groups, -CHO, R?3¿ is alkyl, and alkyl groups from 1 to 5 carbon atoms substituted with one or two hydroxyl groups, m and n are real numbers or fractions, and m + n = 2; applying the palladium precursor to the surface of the substrate; decomposing the palladium precursor by subjecting the precursor to heat.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche de palladium sur un substrat, et consiste à préparer une solution d'un précurseur de palladium, dans laquelle le précurseur de palladium se compose de Pd(OOCR?1¿)¿m?(OOCR?2¿)¿n? formule dans laquelle R?1¿ représente hydrogène, alkyle, alcényle, alkynyle, -R?3¿COOH, alkyle contenant 1 à 5 atomes de carbone substitués par 1 ou 2 groupes hydroxyle, R?2¿ représente hydrogène, alkyle, alcényle, alkynyle, -R?3¿COOH, alkyle contenant 1 à 5 atomes de carbone substitués par 1 ou 2 groupes hydroxyle, -CHO, R?3¿ représente alkyle et des groupes alkyle contenant 1 à 5 atomes de carbone substitués par 1 ou 2 groupes hydroxyle, m et n sont des nombres réels ou des fractions réelles, et m + n = 2; à appliquer le précurseur de palladium sur la surface du substrat et à décomposer le précurseur de palladium en le soumettant à de la chaleur.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)