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Paramétrages

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1. WO1998036445 - PROCEDE POUR RETIRER EN UNE SEULE OPERATION UN ELEMENT DE RESIST ET UNE COUCHE DE PROTECTION DE PAROI LATERALE

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Numéro de publication WO/1998/036445
Date de publication 20.08.1998
N° de la demande internationale PCT/JP1998/000509
Date du dépôt international 06.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 31.08.1998
CIB
G03F 7/34 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
34Dépouillement selon l'image par transfert sélectif, p.ex. par arrachement
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H01L 21/3213 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
3213Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
CPC
G03F 7/34
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
34Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
H01L 21/02071
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02071the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Y10T 156/11
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
156Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
11Methods of delaminating, per se; i.e. , separating at bonding face
Déposants
  • NITTO DENKO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TOYODA, Eiji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAMIKAWA, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HASHIMOTO, Kouichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SHIRAI, Seiichirou [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • TOYODA, Eiji
  • NAMIKAWA, Makoto
  • HASHIMOTO, Kouichi
  • SHIRAI, Seiichirou
Mandataires
  • HAGINO, Taira
Données relatives à la priorité
9/2739912.02.1997JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ONE-SHOT REMOVAL OF RESIST MEMBER AND SIDEWALL PROTECTION LAYER
(FR) PROCEDE POUR RETIRER EN UNE SEULE OPERATION UN ELEMENT DE RESIST ET UNE COUCHE DE PROTECTION DE PAROI LATERALE
front page image
Abrégé
(EN)
By removing a resist member together with a sidewall protection layer which have become unnecessary after dry etching by a sidewall protection process, simplification of a manufacturing process for a semiconductor or the like is to be realized. In carrying out dry etching by a sidewall protection process using a resist pattern (3) existing on a semiconductor substrate (2) as a mask, and then removing the resist member (3) and a sidewall protection layer (4) deposited on a pattern sidewall (22) which have become unnecessary, adhesive sheets (1) are bonded onto the substrate (2), and an adhesive agent (11) is adhered up to the part of the pattern sidewall (22) by heating and pressurizing. After that, the adhesive sheet (1), the resist member (3) and the sidewall protection layer (4) are peeled off and removed together.
(FR)
L'invention vise à simplifier un procédé de production d'un semiconducteur ou similaire, par retrait d'un élément de résist avec une couche de protection de paroi latérale, devenus inutiles après attaque à sec selon un procédé impliquant une protection de paroi latérale. Lors de l'attaque à sec selon un procédé impliquant une protection de paroi latérale, au moyen d'un motif de résist (3) existant sur un substrat de semiconducteur (2) sous forme de masque, puis lors du retrait de l'élément de résist (3) et d'une couche de protection (4) déposée sur une paroi latérale (22) du motif, devenus inutiles, on colle des feuilles adhésives (1) sur le substrat (2), et on provoque l'adhésion d'un agent adhésif (11) sur la partie de la paroi latérale (22) du motif par application de chaleur et de pression. Ensuite, la feuille adhésive (1), l'élément de résist (3) et la couche de protection de paroi latérale (4) sont décollés et retirés ensemble.
Également publié en tant que
DE000069817351
EP0989465
ES2205440
JP1998223615
KR1020000071038
US6436220
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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