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1. (WO1998035531) UNITE DE COMMANDE DE TEMPERATURE UTILISANT UN MODELE, POUR DISPOSITIFS THERMIQUES DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/035531    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/001076
Date de publication : 13.08.1998 Date de dépôt international : 27.01.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.08.1998    
CIB :
C23C 16/52 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : SEMITOOL, INC. [US/US]; 655 W. Reserve Drive, P.O. Box 7010, Kalispell, MT 59901 (US)
Inventeurs : STODDARD, Kevin; (US).
HUGHES, Jean, Benoit; (US).
TSAKALIS, Konstantinos; (US)
Mandataire : POLIT, Robert, B.; Rockey, Milnamow & Katz, Ltd., Suite 4700, Two Prudential Plaza, 180 North Stetson Avenue, Chicago, IL 60601 (US)
Données relatives à la priorité :
08/791,024 27.01.1997 US
Titre (EN) MODEL BASED TEMPERATURE CONTROLLER FOR SEMICONDUCTOR THERMAL PROCESSORS
(FR) UNITE DE COMMANDE DE TEMPERATURE UTILISANT UN MODELE, POUR DISPOSITIFS THERMIQUES DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Controllers and associated methods for controlling a thermal reactor or other thermal semiconductor processors which include a heating element (30) powered by a power source, and having profile thermocouples (42) and spike thermocouples (36). One preferred method comprises the following steps: modeling thermal dynamic characteristics of the thermal reactor (12), the modeling step including providing thermocouple instrumented wafers (26) in the thermal reactor, perturbing the thermal reactor by controlling the heating element (30) using a stimulation sequence, and developing models based on changes in temperature created by the perturbations. The models are developed off-line and can include one or more models, such as a model of power versus spike thermocouple readings, a model of spike thermocouple reading versus profile thermocouple readings, and a model of profile thermocouple readings versus thermocouple instrumented wafer readings. On-line models are further derived and used during operation to control power input to the zones of the thermal processor using measured profile and spike temperatures. The models can be cascaded or selectively activated to achieve different control regimes.
(FR)Dispositifs de commande et procédés associés pour commander un réacteur thermique ou d'autres dispositifs thermiques de production de semi-conducteurs, comportant un élément chauffant (30) alimenté par une source d'énergie et possédant des thermocouples profilés (42) et des thermocouples à broches (36). Un procédé préféré comprend les étapes suivantes: établissement d'un modèle des caractéristiques thermodynamiques du réacteur thermique (12), cette étape de modélisation comprenant l'installation de plaquettes équipées (26) (30) de thermocouples dans le réacteur thermique, la perturbation du réacteur thermique par commande de l'élément chauffant au moyen d'une séquence de stimulation, et l'établissement de modèles basés sur les changements de température causés par ces perturbations. Les modèles sont calculés de manière autonome et peuvent être fondés sur un ou plusieurs modèles, par exemple un modèle de puissance opposé aux valeurs thermocouples à broches, un modèle de valeurs relevées des thermocouples à broches opposées aux valeurs relevées des thermocouples profilés, et un modèle de valeurs relevées des thermocouples profilés opposées aux valeurs relevées des plaquettes équipées de thermocouples. Des modèles sont en outre dérivés en ligne et utilisés pendant le fonctionnement pour commander l'alimentation en énergie dans les zones du dispositif thermique utilisant les températures mesurées des thermocouples profilés et des thermocouples à broches. Les modèles sont activés en cascade ou sélectivement pour permettre différents modes de commande.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)