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1. (WO1998035412) STRUCTURES DE LENTILLES INTRACAVITE POUR LASERS A SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/1998/035412    International Application No.:    PCT/US1998/002446
Publication Date: 13 août 1998 International Filing Date: 5 févr. 1998
IPC: H01S 3/00
H01S 5/00
H01S 5/183
Applicants: PICOLIGHT INCORPORATED
Inventors: JEWELL, Jack, L.
Title: STRUCTURES DE LENTILLES INTRACAVITE POUR LASERS A SEMICONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne une structure de lentille (40) améliorée permettant de réduire les pertes par diffusion et/ou par réflexion dans une cavité optique. Cette lentille (40) comprend au moins une première (44), une deuxième (64) et une troisième (42) couche de lentille agencées verticalement, la première (44) et la troisième (64) couche de lentille étant oxydées dans une première et une troisième région oxydée adjacentes à la première (45) et à la troisième (43) région non oxydée, la deuxième (64) couche étant disposée entre la première et la troisième couche et comprenant un matériau semiconducteur non oxydé, chacune des régions oxydées possédant une teneur en aluminium supérieure à 20 %; et la première couche de lentille est placée à un intervalle approprié par rapport à la troisième couche de lentille de façon à réduire les pertes par diffusion et/ou réflexion dans la cavité optique.