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1. (WO1998035391) ECRAN ELECTROLUMINESCENT A PARTICULES DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/035391    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/002162
Date de publication : 13.08.1998 Date de dépôt international : 09.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.09.1998    
CIB :
H01L 33/00 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : CLARK, Harry, R., Jr.; (US)
Mandataire : LOBER, Theresa, A.; T.A. Lober Patent Services, 128 Robbins Drive, Carlisle, MA 01741 (US)
Données relatives à la priorité :
08/797,063 10.02.1997 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PARTICLE ELECTROLUMINESCENT DISPLAY
(FR) ECRAN ELECTROLUMINESCENT A PARTICULES DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An electroluminescent display device having a semiconductor host matrix which is characterized by a conduction band energy level, a valence band energy level, and a bandgap energy corresponding to an energy difference between a minima of the conduction band and a maxima of the valence band energy levels. Semiconductor particles are disposed in the semiconductor host matrix, and at least a portion of these semiconductor particles are characterized by a conduction band energy level that is less than that of the host matrix. These semiconductor particles are further characterized by a valence band energy level and a bandgap energy, corresponding to an energy difference between a minima of the conduction band and a maxima of the valence band energy levels of the particles, that is less than the bandgap energy of the semiconductor host matrix. There is included in the display configuration a mechanism for providing electrons and holes at locations of the semiconductor particles, by way of conduction through the semiconductor host matrix, for recombination at the particle locations, between the conduction band minima and the valence band maxima of the particles, to produce luminescent radiation. With a semiconductor host matrix that enables conduction of holes and electrons freely through it, the electroluminescent display of the invention overcomes the severe quantum efficiency limitations imposed by conventional luminescent display configurations.
(FR)Un écran électroluminescent comportant une matrice hôte à semi-conducteur est caractérisé par un niveau d'énergie de bande de conduction, un niveau d'énergie de bande de valence et une énergie de bande interdite correspondant à la différence d'énergie entre un minima du niveau d'énergie de la bande de conduction et un maxima du niveau d'énergie de la bande de valence. Des particules de semi-conducteur sont disposées dans la matrice hôte à semi-conducteur, et au moins une partie desdites particules sont caractérisées par un niveau d'énergie de la bande de conduction inférieure à celle de la matrice hôte. Lesdites particules sont également caractérisées par un niveau d'énergie de la bande de valence et une énergie de bande interdite, correspondant à une différence d'énergie entre un minima du niveau d'énergie de la bande de conduction et un maxima du niveau d'énergie de la bande de valence des particules, qui est inférieure à celle de l'énergie de la bande interdite de la matrice hôte. L'écran comporte un mécanisme qui amène des électrons et des trous à des emplacements des particules de semi-conducteur par conduction au travers de la matrice hôte en vue de la recombinaison desdits emplacements, entre le minima de la bande de conduction et le maxima de la bande de valence des particules, de façon à produire un rayonnement luminescent. Avec une matrice hôte à semi-conducteur qui laisse passer librement les trous et les électrons, l'écran électroluminescent de l'invention surmonte les importantes limitations du rendement quantique imposées par les configurations d'écrans luminescents classiques.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, GW, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)