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1. (WO1998035382) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR SCELLE PAR RESINE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/035382    N° de la demande internationale :    PCT/JP1998/000476
Date de publication : 13.08.1998 Date de dépôt international : 04.02.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.08.1998    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Saiwai-cho, Takatsuki-shi, Osaka 569-1193 (JP) (Tous Sauf US).
OIDA, Seishi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAGUCHI, Yukio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUEMATSU, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OIDA, Seishi; (JP).
YAMAGUCHI, Yukio; (JP).
SUEMATSU, Nobuhiro; (JP)
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Taihei Building, 4-8, Utsubohonmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 550-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
9/26487 10.02.1997 JP
9/274117 07.10.1997 JP
Titre (EN) RESIN SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR SCELLE PAR RESINE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor chip (15) is connected to the surface of a die pad (13) of a lead frame, and inner leads (12) are connected to the electrode pads of the chip (15) through thin metallic wires (16). The die pad (13), the chip (15), and the leads (12) are sealed with a sealing resin (17), but the resin (17) does not exist on the rear surface sides of the leads (12) and the rear surface sides of the leads (12) are protruded downward from the rear surface of the resin (17) to form external electrodes (18). Since the external electrodes (18) are protruded, the stand-off heights of the electrodes (18) can be secured in advance at the time of connecting the electrodes (18) to the electrodes of a mounting substrate. Therefore, the manufacturing man-hour and manufacturing cost of a resin sealed type semiconductor device can be reduced, because the electrodes (18) can be used as external terminals as they are and it becomes unnecessary to additionally provide ball electrodes made of solder, etc., to the electrodes (18).
(FR)L'invention concerne une puce de semiconducteur (15) reliée à la surface d'un plot de dé (13) dans une grille de connexion, avec des conducteurs internes (12) reliés aux plots d'électrode de la puce (15) via des fils métalliques fins (16). Le plot de dé (13), la puce (15) et les conducteurs (12) sont scellés par une résine de scellement (17), mais la résine (17) n'est pas présente sur les côtés de surface arrière des conducteurs (12), et ces côtés font saillie vers le bas depuis la surface arrière de la résine (17), de manière à former des électrodes externes (18). Etant donné que ces électrodes (18) font saillie, on peut établir à l'avance leur hauteur de dégagement au moment de réaliser la connexion des électrodes (18) avec les électrodes d'un substrat de fixation. On peut donc réduire l'heure-homme et le coût de fabrication d'un dispositif à semiconducteur scellé par résine, car les électrodes (18) sont utilisables comme bornes externes comme elles se présentent, et il est inutile d'ajouter aux électrodes (18) des électrodes boules de type à soudage, etc.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)