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1. (WO1998034304) DISPOSITIF LASER A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/034304    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/001494
Date de publication : 06.08.1998 Date de dépôt international : 27.01.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.08.1998    
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD COMPANY [US/US]; 3000 Hanover Street, P.O. Box 10301, Palo Alto, CA 94303-0890 (US) (Tous Sauf US).
KANEKO, Yawara [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANEKO, Yawara; (JP)
Mandataire : HARDCASTLE, Ian; Hewlett-Packard Company, 1501 Page Mill Road, M/S 40-10, Palo Alto, CA 94304-1126 (US)
Données relatives à la priorité :
9/16313 30.01.1997 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor laser diode and the laser diode constructed therewith. A laser diode according to the present invention is constructed by depositing a buffer layer (9) on a substrate (8). A crystalline layer (10-13) is then deposited on the buffer layer (9). The crystalline layer (10-13) includes the waveguide for the laser. A portion (110) of the buffer layer (9) is etched from under the crystalline layer (10-13) leaving a portion (110) of the crystalline layer (10-13) cantilevered over the substrate (8). The crystalline layer (10-13) is then cleaved in the cantilevered portion (110) to generate a reflecting surface (15) for reflecting light generated in the waveguide. This method is well suited for GaN based laser diodes that are to be constructed on sapphire substrates.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode laser à semiconducteur et une diode laser fabriquée selon ce procédé. Ladite diode laser est fabriquée par dépôt d'une couche intermédiaire (9) sur un substrat (8). Une couche cristalline (10-13) est ensuite déposée sur la couche intermédiaire (9). La couche cristalline (10-13) comporte le guide d'ondes pour le laser. Une partie (110) de la couche intermédiaire (9) est attaquée sous la couche cristalline (10-13), pour laisser la partie (110) de ladite couche (10-13) en saillie au-dessus du substrat (8). La couche cristalline (10-13) est ensuite clivée dans la partie en saillie (110) pour former une surface réfléchissante (15) permettant de réfléchir la lumière engendrée dans le guide d'ondes. Ce procédé est approprié pour les diodes laser en GaN destinées à réaliser sur des substrats en sapphire.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)