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1. (WO1998027598) DISPOSITIF MOS AVEC CONNEXION ENTRE UNE PARTIE CORPS ET UNE PARTIE GACHETTE FORMEE SUR UN SUBSTRAT SILICIUM-SUR-ISOLANT (SSI)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027598    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/021012
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 12.11.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.1998    
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INC. [US/US]; Honeywell Plaza, Minneapolis, MN 55408 (US)
Inventeurs : FECHNER, Paul, S.; (US)
Mandataire : BRUNS, Gregory, A.; Honeywell Inc., Honeywell Plaza - MN12-8251, P.O. Box 524, Minneapolis, MN 55440-0524 (US)
Données relatives à la priorité :
08/770,616 19.12.1996 US
Titre (EN) MOS DEVICE HAVING A GATE TO BODY CONNECTION FORMED ON A SOI SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF MOS AVEC CONNEXION ENTRE UNE PARTIE CORPS ET UNE PARTIE GACHETTE FORMEE SUR UN SUBSTRAT SILICIUM-SUR-ISOLANT (SSI)
Abrégé : front page image
(EN)A MOS transistor formed in a silicon on insulator structure includes a rectifying connection between a body portion and the gate. The connection decreases the threshold voltage of the transistor in the reverse bias state and limits a difference in voltage between the body and gate in the forward bias state of the rectifying contact.
(FR)Un transistor MOS formé sur une structure silicium-sur-isolant comprend une connexion de redressement située entre une partie corps et la gâchette. La connexion réduit la tension de seuil du transistor dans l'état de polarisation inverse et limite une différence de tension entre le corps et la gâchette dans l'état de polarisation en sens direct du contact de redressement.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)