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1. (WO1998027595) DISPOSITIF A FUSIBLE DE SILICIURE AGGLOMERE POURVU DE ZONES DE RUPTURES A ENCOCHES POUR FACILITER LA PROGRAMMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027595    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/021447
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 24.11.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.05.1998    
CIB :
H01L 23/525 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : BOHR, Mark, T.; (US).
MOHSEN, Alavi; (US).
TSAI, Min-Chun; (US)
Mandataire : TAYLOR, Edwin, H.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
08/769,152 18.12.1996 US
Titre (EN) A SILICIDE AGGLOMERATION FUSE DEVICE WITH NOTCHES TO ENHANCE PROGRAMMABILITY
(FR) DISPOSITIF A FUSIBLE DE SILICIURE AGGLOMERE POURVU DE ZONES DE RUPTURES A ENCOCHES POUR FACILITER LA PROGRAMMATION
Abrégé : front page image
(EN)A fusible link device disposed on a semiconductor substrate for providing discretionary changes in resistance. The fusible link device of the invention includes a polysilicon layer (105) having a first resistance. A silicide layer (104) formed on the polysilicon layer has a second, lower resistance and includes a fuse region having a first notched region (130) narrower than the center of the fuse region, a first contact region (120) electrically coupled to one end of the fuse region and a second contact region (121) electrically coupled to an opposite end of the fuse region. The silicide layer agglomerates to form an electrical discontinuity in the fuse region (usually in the notched region) in response to a current greater than or equal to a predetermined programming current flowing between the contact regions, such that the resistance of the fusible link device can be selectively increased.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de connexion à fusibles placé sur un substrat semi-conducteur afin d'apporter à la demande des changements de résistivité. Le dispositif de connexion à fusible comprend une couche de silicium polycristallin (105) caractérisée par une première résistance. Une couche de siliciure (104) formée sur la couche de silicium polycristallin caractérisée par une seconde résistance, inférieure, comporte une zone fusible présentant d'abord une première zone à encoches (130), plus étroite que le centre de la zone fusible, ensuite une première zone contact (120), électriquement couplée à une extrémité de la zone fusible, et enfin, une seconde zone contact (121), électriquement couplée à une extrémité opposée de la zone fusible. La couche de siliciure s'agglomère de façon à créer une discontinuité électrique dans la zone fusible (normalement dans la zone à encoches) en réaction à un courant plus fort ou identique au courant de programmation prédéterminé circulant entre les zones contact, ce qui permet d'augmenter de façon sélective la résistance du dispositif de connexion à fusibles.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)