WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998027584) PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP VERTICAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027584    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/022054
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 10.12.1997
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SILICONIX INCORPORATED [US/US]; 2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : FLOYD, Brian, H.; (US).
HO, Chin, H.; (US).
CHANG, Mike, F.; (US).
JUANG, Min; (US).
CHEUNG, Brian; (US).
LEE, Karen; (US)
Mandataire : STEUBER, David, E.; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel L LP, Suite 700, 25 Metro Drive, San Jose, CA 95110 (US)
Données relatives à la priorité :
08/767,708 17.12.1996 US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING A VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP VERTICAL
Abrégé : front page image
(EN)In the present method, a semiconductor substrate is provided with an epitaxial layer thereon. A source/drain region is provided in a portion of the epitaxial layer, and a plurality of trenches are etched in the epitaxial layer and extend into the substrate, to define a plurality of mesas. An oxide layer of generally uniform thickness is provided over the mesas and in the trenches, and a polysilicon layer is provided over the oxide layer and is etched so that the oxide layer overlying the mesas is exposed, and the top surface of the polysilicon within the trenches is below the level of the tops of the mesas. A layer of spin-on-glass (SOG) is provided, and the SOG layer and oxide layer are etched substantially to the level of the tops of the mesas, to expose the tops of the mesas and to leave the portions of the SOG over the respective polysilicon portions in the trenches substantially coplanar with the tops of the mesas. A conductive layer is provided over the remaining portions of the SOG layer and the tops of the mesas.
(FR)La présente invention concerne un substrat semi-conducteur pourvu d'une couche épitaxiée. Une partie de cette couche épitaxiée comporte une région source/drain ainsi qu'une multiplicité de tranchées, qui sont produites par attaque dans ladite couche épitaxiée et qui s'étendent sur le substrat, définissant ainsi plusieurs mésas. Une couche d'oxyde d'épaisseur généralement uniforme recouvre les mésas et les tranchées, alors qu'une couche de silicium pollycristallin recouvre ladite couche d'oxyde; cette couche de silicium polycristallin est attaquée de sorte que la couche d'oxyde qui recouvre les mésas soit exposés, et que la surface supérieure du silicium polycristallin à l'intérieur desdites tranchées se situe en deçà de la partie supérieure des mésas. L'invention concerne également une couche de verre appliquée par centrifugation (SOG), cette couche SOG et la couche d'oxyde étant sensiblement attaquée jusqu'au niveau de la partie supérieure des mésas, afin d'exposer ces parties supérieures et de faire en sorte que les parties de la couche SOG recouvrant les parties respectives de silicium polycristallin dans les tranchées et les parties supérieures des mésas soient sensiblement coplanaires. L'invention concerne enfin une couche conductrice recouvrant les parties restantes de la couche SOG et les parties supérieures des mésas.
États désignés : DE, GB, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)