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1. (WO1998027581) PROCEDES POUR REDUIRE LES DEGATS DUS A LA CHARGE D'UN COURANT DE PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027581    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/024227
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 18.12.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.07.1998    
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventeurs : PATRICK, Roger; (US).
SIU, Stanley, C.; (US).
ATZEI, Luisarita; (IT)
Mandataire : NGUYEN, Joseph, A.; Beyer & Weaver, LLP, P.O. Box 61059, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
08/768,618 18.12.1996 US
Titre (EN) METHODS FOR REDUCING PLASMA-INDUCED CHARGING DAMAGE
(FR) PROCEDES POUR REDUIRE LES DEGATS DUS A LA CHARGE D'UN COURANT DE PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method in a high density plasma chamber for protecting a semiconductor substrate from charging damage from plasma-induced current through the substrate while etching through a selected portion of a conductive layer above the substrate. The method includes performing a bulk etch at least partially through the selected portion of the conductive layer using a first power setting form a plasma generating source of the high density plasma chamber. The method further includes performing a clearing etch through the selected portion of the conductive layer using a second power setting for the plasma generating source. In accordance with this embodiment, the second power setting is subtantially minimized to reduce the charging damage.
(FR)Procédé lié à une chambre à plasma haute densité, pour protéger un substrat de semiconducteur contre les dégâts dus à la charge d'un courant de plasma dans le substrat, pendant l'attaque d'une certaine section de couche conductrice au-dessus du substrat. On effectue en particulier une attaque en masse au moins à travers une partie de ladite section, en donnant une première puissance à la source de la chambre à plasma haute densité. On effectue ensuite une attaque de clarification dans la même section, en donnant une seconde puissance à la source de plasma. Dans le mode de réalisation considéré, le second réglage réduit sensiblement la puissance à une valeur minimum, afin de diminuer les dégâts dus à la charge du courant de plasma.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)