WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998027580) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHES ULTRA-MINCES D'OXYNITRURE ET DE DISPOSITIFS A COUCHES MINCES RENFERMANT DES COUCHES ULTRA-MINCES D'OXYNITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027580    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/020175
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 03.11.1997
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01)
Déposants : SCOTT SPECIALTY GASES, INC. [US/US]; 6141 Easton Road, Plumsteadville, PA 18949-0310 (US)
Inventeurs : LEONARDUZZI, Gianni, D.; (US).
KWONG, Dim-Lee; (US)
Mandataire : KELLY, Robert, L.; Dykema Gossett PLLC, Suite 300, 1577 North Woodward Avenue, Bloomfield Hills, MI 48304-2820 (US)
Données relatives à la priorité :
08/753,864 03.12.1996 US
Titre (EN) PROCESS FOR FORMING ULTRATHIN OXYNITRIDE LAYERS AND THIN LAYER DEVICES CONTAINING ULTRATHIN OXYNITRIDE LAYERS
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHES ULTRA-MINCES D'OXYNITRURE ET DE DISPOSITIFS A COUCHES MINCES RENFERMANT DES COUCHES ULTRA-MINCES D'OXYNITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an oxynitride gate dielectric layer is disclosed. The oxynitride layer is formed by thermally growing an oxide layer under an atmosphere of nitric oxide and nitrous oxide. The oxynitride layer suppresses boron diffusion from the overlaying electrode.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche diélectrique d'oxynitrure de grille. Cette couche d'oxynitrure est formée par tirage thermique d'une couche d'oxyde sous atmosphère de monoxyde d'azote et d'oxyde nitreux. La couche d'oxynitrure supprime la diffusion du bore depuis l'électrode sus-jacente.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)