WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998027455) DISPOSITIFS ELECTRONIQUES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CES DERNIERS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027455    N° de la demande internationale :    PCT/IB1997/001355
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 30.10.1997
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL - 5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS NORDEN AB [SE/SE]; Kottbygatan 7, Kista, S-164 85 Stockholm (SE) (SE only)
Inventeurs : DEANE, Steven, Charles; (NL)
Mandataire : STEVENS, Brian, T.; Internationaal Octrooibureau B.V., P.O. Box 220, NL-5600 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
9626487.4 17.12.1996 GB
Titre (EN) ELECTRONIC DEVICES AND THEIR MANUFACTURE
(FR) DISPOSITIFS ELECTRONIQUES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CES DERNIERS
Abrégé : front page image
(EN)In a flat panel display or other large-area electronics device, each cell of a matrix comprises a thin-film switching transistor (T1) connected between a respective column conductor (CC) and a respective cell electrode (C¿LC?). Each cell also has a storage capacitor (C¿S?) formed with the row conductor (RR (n-1); 14b) of a neighbouring cell by a lower conductive film part (11c). In order to reduce the effect of parasitic thin-film transistors (T2, T3) formed by these row conductors (RR) between said lower conductive film part (11c) and neighbouring column conductors (CC), the parasitic transistor channel regions are dimensioned to have a length (L) greater than their respective width (W; W1), and their width (W; W1) is preferably made smaller than the width (W2) of the row conductor (RR; 14b) and its semiconductor film pattern (12) in the area of its storage capacitor (C¿S?).
(FR)Cette invention concerne des dispositifs électroniques de type affichage à panneau plat, ou autres dispositifs de grande surface, dans lesquels chaque cellule d'une matrice comprend un transistor de commutation de type film fin (T1) qui est connecté entre un conducteur de colonne (CC) respectif et une électrode de cellule (C¿LC?) respective. Chaque cellule comprend également un condensateur de stockage (C¿S?), lequel est formé, avec le conducteur de rangée (RR(n-1), 14b) d'une cellule voisine, par la partie film conducteur inférieure (11c). Cette invention permet de réduire les effets de transistors de type film fin parasites (T2, T3) qui sont formés par ces conducteurs de rangée (RR) entre la partie film conducteur inférieure (11c) et les conducteurs de colonne voisins (CC). A cette fin, les zones de canaux de transistors parasites, possèdent une longueur (L) qui est supérieure à leur largeur respective (W, W1). Leur largeur (W, W1) est quant à elle, et de préférence, inférieure à la largeur (W2) du conducteur de rangée (RR, 14b) et de son diagramme de film semi-conducteur (12) dans la zone de son condensateur de stockage (C¿S?).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)