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1. (WO1998027129) NOVOLAQUE FRACTIONNEE A PARTIR D'UN MELANGE REACTIONNEL DE CRESOL-FORMALDEHYDE ET COMPOSITION PHOTORESIST OBTENUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/027129    N° de la demande internationale :    PCT/EP1997/007055
Date de publication : 25.06.1998 Date de dépôt international : 16.12.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.07.1998    
CIB :
C08G 8/08 (2006.01), C08G 8/12 (2006.01), G03F 7/023 (2006.01)
Déposants : CLARIANT INTERNATIONAL LTD. [CH/CH]; Rothausstrasse 61, CH-4132 Muttenz (CH)
Inventeurs : RAHMAN, M., Dalil; (US).
LU, Ping-Hung; (US).
COOK, Michelle; (US)
Mandataire : HÜTTER, Klaus; Clariant GmbH, Patente, Marken und Lizenzen, Building K 801, Room 2027, D-65926 Frankfurt am Main (DE)
Données relatives à la priorité :
08/768,541 18.12.1996 US
Titre (EN) FRACTIONATED NOVOLAK RESIN FROM CRESOL-FORMALDEHYDE REACTION MIXTURE AND PHOTORESIST COMPOSITION THEREFROM
(FR) NOVOLAQUE FRACTIONNEE A PARTIR D'UN MELANGE REACTIONNEL DE CRESOL-FORMALDEHYDE ET COMPOSITION PHOTORESIST OBTENUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for producing a film forming, fractionated novolak resin having consistent molecular weight and superior performance in photoresist composition, by isolating such novolak resin fractions without high temperature distillation. A method is also provided for producing photoresist composition from such a fractionated novolak resin and for producing semiconductor devices using such a photoresist composition.
(FR)La présente invention a trait à un procédé visant à l'élaboration d'une novolaque fractionnée filmogène de poids moléculaire stable et de rendement supérieur dans une composition photorésist, et qui consiste à isoler de telles fractions de novolaque sans recours à la distillation sous haute température. L'invention concerne également un procédé utilisé pour l'élaboration d'une composition photorésist à partir d'une telle novolaque fractionnée ainsi que pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs utilisant une composition photorésist telle que celle-ci.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)