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1. (WO1998026458) SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE ISOLEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/026458    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/004538
Date de publication : 18.06.1998 Date de dépôt international : 10.12.1997
CIB :
H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. [JP/JP]; 3-22, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530 (JP) (Tous Sauf US).
HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASANO, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Yoshitaka; (JP).
ASANO, Katsunori; (JP)
Mandataire : TAKADA, Yukihiko; 1-48, Saiwai-cho 2-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 317 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/331321 11.12.1996 JP
Titre (EN) INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE ISOLEE
Abrégé : front page image
(EN)In a semiconductor device having a trench type insulated gate structure, in the case where a drift layer (2) of an n?-¿ conduction type has a high carrier concentration, when a high voltage is applied between a drain and a source in such a manner that a channel is not formed, the electric field strength of an insulator layer (9) below the trench type insulated gate is increased, thus causing breakdown. The withstand voltage of the semiconductor device is limited by the breakdown of the insulator layer (9), and it is difficult to realize high withstand voltage. Thus, a field relaxation semiconductor region (1) of a conduction type opposite to the conduction type of the drift layer (2) is formed within the drift layer (2) below the insulator layer (9) in the trench of the trench type insulated gate semiconductor device. Also, the thickness of a bottom portion of the insulator layer (9) provided in the trench of the trench type insulated gate semiconductor device is made significantly greater than the thickness of a lateral portion thereof.
(FR)Semi-conducteur comportant une structure à grille isolée à tranchée, dans le cas où une couche de dérive (2) de type de conduction n?-¿ possède une concentration de porteuse élevée, lorsqu'une tension élevée est appliquée entre un drain et une source de sorte qu'aucun canal ne se forme. La force électrique de champ d'une couche isolante (9) située sous la grille isolée à tranchée augmente, ce qui provoque une détérioration. La tension de régime du semi-conducteur est limitée par la détérioration de la couche isolante (9), et il est donc difficile d'obtenir une tension de régime élevée. Ainsi, une région de semi-conducteur de relaxation de domaine (1) de type de conduction opposé à celui de la couche de dérive (2) est formée dans ladite couche de dérive (2) située sous la couche isolante (9) du dispositif semi-conducteur à grille isolée à tranchée. De même, l'épaisseur du fond de la couche isolante (9) disposée dans la tranchée du dispositif semi-conducteur à grille isolée à tranchée est rendu beaucoup plus importante que celle de la partie latérale de celle-ci.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)