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1. (WO1998025312) PILE SOLAIRE A FAIBLE OMBRAGE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/025312    N° de la demande internationale :    PCT/EP1997/006465
Date de publication : 11.06.1998 Date de dépôt international : 19.11.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.06.1998    
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/036 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SIEMENS SOLAR GMBH [DE/DE]; Frankfurter Ring 153, D-80807 München (DE) (Tous Sauf US).
ENDRÖS, Arthur [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ENDRÖS, Arthur; (DE)
Mandataire : ZANGS, Rainer; Hoffmann . Eitle, Arabellastrasse 4, D-81925 München (DE)
Données relatives à la priorité :
196 50 111.3 03.12.1996 DE
Titre (DE) SOLARZELLE MIT GERINGER ABSCHATTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) SOLAR CELL WITH REDUCED SHADING AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) PILE SOLAIRE A FAIBLE OMBRAGE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Für eine Hochleistungssolarzelle mit einem Wirkungsgrad von über 20 Prozent wird vorgeschlagen, ein (110)-orientiertes Siliziumsubstrat zu verwenden, alle Kontakte auf die Rückseite (RS) zu verlegen und den elektrischen Anschluß der Vorderseite (VS) über ein Muster von hochdotierten Schlitzen durch das Substrat hindurch vorzunehmen, welche kristallorientiert geätzt und parallel zu (111)-Ebenen im Substrat ausgerichtet sind.
(EN)In order to produce a high-output solar cell with more than 20 % efficiency a (110)-oriented silicon substrate is used, all the contacts are disposed on the rear side (RS), and the electrical connection for the front side (VS) is brought about through the substrate by means of a pattern of highly doped slots which are etched in a crystal-oriented manner and aligned parallel to (111) planes in the substrate.
(FR)Selon l'invention, il est prévu, pour une pile solaire de haute puissance présentant un degré d'efficacité supérieur à 25 %, d'utiliser un substrat de silicium à orientation (110), de placer tous les contacts sur la face arrière (RS), et de procéder à la connexion électrique de la face avant (VS) par l'intermédiaire d'un motif constitué de fentes à dopage élevé traversant le substrat, lesquelles sont produites par une attaque effectuée selon une orientation cristalline et sont orientées parallèlement aux plans (111) dans le substrat.
États désignés : AU, JP, RU, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)