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1. (WO1998025311) RECEPTEUR OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/025311    N° de la demande internationale :    PCT/DE1997/002808
Date de publication : 11.06.1998 Date de dépôt international : 02.12.1997
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01), H01L 31/108 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, D-52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
MARSO, Michel [LU/DE]; (DE) (US Seulement).
HORSTMANN, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LÜTH, Hans [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MARSO, Michel; (DE).
HORSTMANN, Manfred; (DE).
LÜTH, Hans; (DE)
Représentant
commun :
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Rechts- und Patentabteilung, D-52425 Jülich (DE)
Données relatives à la priorité :
196 50 133.4 03.12.1996 DE
Titre (DE) OPTISCHER EMPFÄNGER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) OPTICAL RECEIVER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) RECEPTEUR OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein optisches Bauelement, insbesondere optischen Empfänger, mit Lichtwellenleiter auf einem für Halbleitermaterial geeigneten Substrat. Dabei ist der Wellenleiter an wenigstens einem Ende abgeschrägt und dieses abgeschrägte Ende weist einen Photodetektor auf. Zur Bildung des Detektors kann ein sich zumindest teilweise auf dem abgeschrägten Ende des Wellenleiters befindlicher Schottkykontakt vorgesehen sein. Als Detektor kann eine MSM-Diode gewählt werden.
(EN)An optical component, in particular an optical receiver, has waveguides on a substrate suitable for a semiconductor material. The waveguide is bevelled at least at one end and the bevelled end has a photodetector. A Schottky contact can be provided at least partially on the bevelled end of the waveguide to form the detector. An MSM diode can be selected as detector.
(FR)L'invention concerne un composant optique, notamment un récepteur optique, pourvu de guides d'ondes sur un substrat approprié pour un matériau semi-conducteur. Le guide d'ondes est biseauté à au moins une extrémité et cette extrémité biseautée porte un photodétecteur. Afin de former le détecteur, un contact de Schottky peut être monté au moins partiellement sur l'extrémité biseautée du guide d'ondes. On peut choisir comme détecteur une diode MSM.
États désignés : CA, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)