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1. (WO1998025306) CIRCUIT INTEGRE HYBRIDE HYPERFREQUENCE ET DE GRANDE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/025306    N° de la demande internationale :    PCT/RU1996/000336
Date de publication : 11.06.1998 Date de dépôt international : 04.12.1996
CIB :
H01L 23/367 (2006.01), H01L 23/66 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/18 (2006.01), H05K 3/00 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-3 dong, Paldal-ku, Suwon City, Gyungki-do (KR) (AM, AT, AU, BB, BE, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GE, GR, HU, IE, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LT, LU, LV, MC, MD, MG, MN, MW, MX, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SI, SK, TJ, TT, UA, UZ, VN only).
AIZENBERG, Eduard Volfovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
BEJL, Vladimir Iljich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
KLYUEV, Jury Petrovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : AIZENBERG, Eduard Volfovich; (RU).
BEJL, Vladimir Iljich; (RU).
KLYUEV, Jury Petrovich; (RU)
Mandataire : GAVRILOVA, Elena Arkadievna; "Rosgal"/"Iskona II", a/ya 43, Moscow, 107078 (RU)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-POWER MICROWAVE-FREQUENCY HYBRID INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE HYBRIDE HYPERFREQUENCE ET DE GRANDE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention pertains to the field of semi-conductor micro-electronics, and more precisely relates to a microwave-frequency hybrid integrated circuit. This high-power microwave-frequency hybrid integrated circuit comprises the following members: a dielectric board (1) provided with openings (3); a metallic base (4) with protrusions (6) extending through the openings (3) in the board; and bare semi-conductor devices (5) mounted on the protrusions (6) of the base (4) so that their surfaces bearing contact zones are located on a same plane with the front side of the dielectric board (1). The metallic base (4) comprises openings (3) formed at locations where the protrusions (6) are to be placed, wherein said protrusions (6) are made in the shape of inserts which are rigidly connected in said openings (3). These protrusions are made of a material having a thermal conductivity coefficient which is higher than that of the material of the metallic base (4).
(FR)L'invention relève du domaine de la micro-électronique à semi-conducteurs et concerne plus particulièrement des circuits intégrés hybrides hyperfréquence. Elle consiste en un circuit intégré hybride hyperfréquence et de grande puissance qui comprend une plaquette diélectrique (1) avec des ouvertures (3), une base métallique (4) avec des protubérances (6) passant à travers les ouvertures (3) et, enfin, des dispositifs nus à semi-conducteur (5) montés sur les protubérances (6) de la base (4). Ces dispositifs sont disposés de manière à ce que leur surface, qui comporte des plages de connexion, soit sur le même plan que la face avant de la plaquette diélectrique (1). Les ouvertures (3) sont pratiquées dans la base métallique (4) aux endroits où l'on veut placer les protubérances (6). Ces dernières se présentent sous forme d'inserts fixés de manière rigide dans les ouvertures (3), lesquels inserts sont faits d'un matériau ayant un coefficient de conductivité thermique supérieur à celui du matériau dont est faite la base métallique (4).
États désignés : AM, AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, GE, HU, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LT, LU, LV, MD, MG, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SI, SK, TJ, TT, UA, US, UZ, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)