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1. (WO1998025305) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/025305    N° de la demande internationale :    PCT/JP1996/003547
Date de publication : 11.06.1998 Date de dépôt international : 04.12.1996
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.12.1996    
CIB :
H01L 23/498 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAMOTO, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIMURA, Asao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOGUCHI, Koki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MICHISHITA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIGUCHI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBO, Masaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYAMOTO, Toshio; (JP).
NISHIMURA, Asao; (JP).
NOGUCHI, Koki; (JP).
MICHISHITA, Satoshi; (JP).
HORIGUCHI, Masashi; (JP).
KUBO, Masaharu; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, N.S. Excel 301, 22-45, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor process for a laminated package that contains a semiconductor chip on which at least a CPU and flash memory are formed and one or more semiconductor chips on which at least DRAMs are formed. The process comprises the steps of: patterning conductive layers formed on the tape carriers so that leads may protrude into device holes on one side and connected to the through holes in tape carriers on the other side; sealing the semiconductor chips with a resin after the leads are bonded to the terminals of the chips for electrical connections; stacking the tape carriers with their through holes aligned and filling conductor in the through holes for electrical connections; and forming external terminals connected with the through holes on one end.
(FR)Cette invention concerne un procédé utilisant des semi-conducteurs et destiné à un emballage stratifié qui comprend, d'une part, une puce à semi-conducteur sur laquelle sont formées au moins une UCT et une mémoire flash et, d'autre part, une ou plusieurs puces à semi-conducteur sur lesquelles sont formées des mémoires DRAM. Ce procédé consiste à structurer les couches conductrices formées sur les supports de type bande, ceci de manière à ce que les conducteurs dépassent dans les trous du dispositif sur un côté, et à ce qu'ils soient connectés aux trous traversants pratiqués dans les supports de type bande de l'autre côté. On scelle ensuite les puces à semi-conducteur à l'aide d'une résine, ceci après avoir soudé les conducteurs aux bornes des puces de manière à effectuer les connexions électriques. Les supports de type bande sont empilés en s'assurant que leurs trous traversants soient alignés, ces trous étant ensuite remplis d'un conducteur afin d'effectuer les connexions électriques. On procède enfin à la formation des bornes externes qui sont connectées aux trous traversants sur l'une de leurs extrémités.
États désignés : AL, AU, BA, BB, BG, BR, CA, CN, CU, CZ, EE, GE, HU, IL, IS, JP, KR, LC, LK, LR, LT, LV, MG, MK, MN, MX, NO, NZ, PL, RO, SG, SI, SK, TR, TT, UA, US, UZ, VN.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (KE, LS, MW, SD, SZ, UG)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)