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1. (WO1998024945) CIBLES DE PULVERISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE D'ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/024945    N° de la demande internationale :    PCT/FR1997/002142
Date de publication : 11.06.1998 Date de dépôt international : 27.11.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.06.1998    
CIB :
C22C 21/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : ALUMINIUM PECHINEY [FR/FR]; 10, place des Vosges, La Défense 5, F-92400 Courbevoie (FR) (Tous Sauf US).
LEROY, Michel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MULLER, Jean [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CHENAL, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : LEROY, Michel; (FR).
MULLER, Jean; (FR).
CHENAL, Bruno; (FR)
Mandataire : PECHINEY; 28, rue de Bonnel, F-69433 Lyon Cedex 03 (FR)
Données relatives à la priorité :
96/15116 04.12.1996 FR
Titre (EN) CATHODE PULVERISATION TARGETS IN ALUMINIUM ALLOY
(FR) CIBLES DE PULVERISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE D'ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a cathode pulverisation target characterised in that its active part, i.e. the volume of the target capable of being removed during the cathode pulverisation, consists of a high purity aluminium alloy simultaneously containing copper and iron and having simultaneously a recrystallisation temperature well above 20 °C and an electric resistivity less than 2.85 $g(m)$g(V).cm at 20 °C. The use of the target for making bonding circuits reduces the frequency at which voids and hillocks appear, while maintaining the resistance of the bonding circuits at values comparable to the resistance obtained with a high purity aluminium alloy, while also providing the etching characteristics comparable to those of high purity aluminium alloy.
(FR)L'invention porte sur une cible de pulvérisation cathodique caractérisée en ce que sa partie active, c'est-à-dire le volume de la cible susceptible d'être enlevée lors des opérations de pulvérisation cathodique, est constituée d'un alliage d'aluminium de haute pureté contenant simultanément du cuivre et du fer et possédant simultanément une température de recristallisation nettement supérieure à 20 °C et une résistivité électrique inférieure à 2,85 $g(m)$g(V).cm à 20 °C. L'utilisation de la cible selon l'invention pour la fabrication de circuits d'interconnexion permet de réduire la fréquence d'apparition des protubérances et des trous, tout en maintenant la résistance des circuits d'interconnexion à des valeurs comparables aux résistances obtenues avec un alliage d'aluminium de très haute pureté, et tout en assurant des caractéristiques de gravure également comparables à celles de l'aluminium de très haute pureté.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)