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1. (WO1998024130) ELEMENT CERAMIQUE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT CERAMIQUE, CERAMIQUE, DISPOSITIF DE RELAIS, ET CONDENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/024130    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/004371
Date de publication : 04.06.1998 Date de dépôt international : 28.11.1997
CIB :
B06B 1/06 (2006.01), B41J 2/14 (2006.01), C04B 35/493 (2006.01), G02B 26/08 (2006.01), G09F 9/37 (2006.01), H01G 5/18 (2006.01), H01G 7/06 (2006.01), H01H 1/00 (2006.01), H01H 57/00 (2006.01), H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/107 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi-pref. 467 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Yukihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KASHIWAYA, Toshikatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Nobuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Yukihisa; (JP).
KASHIWAYA, Toshikatsu; (JP).
TAKAHASHI, Nobuo; (JP)
Mandataire : CHIBA, Yoshihiro; Shinjuku Maynds Tower 16F, 1-1, Yoyogi 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 151 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/320482 29.11.1996 JP
8/351715 27.12.1996 JP
Titre (EN) CERAMIC ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING CERAMIC ELEMENT, DISPLAY, RELAY DEVICE, AND CAPACITOR
(FR) ELEMENT CERAMIQUE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT CERAMIQUE, CERAMIQUE, DISPOSITIF DE RELAIS, ET CONDENSATEUR
Abrégé : front page image
(EN)There are provided an actuator part main body (26) which has an antiferroelectric film (22) and a pair of electrodes (24a and 24b) formed on one major face (surface) of the antiferroelectric film (33), a vibratory part (18) which supports the actuator part main body (26), and a fixed part (20) which supports the vibratory part (18) in such a way that it can vibrate. The antiferroelectric film (22) has a region Zt of which the mean permittivity increases in an analog manner in accordance with the voltage V impressed to the paired electrodes (24a and 24b). Specifically, p/t$m(F)2.5 is satisfied where t is the average film thickness of the antiferroelectric film (22) and p is the pitch between the paired electrodes (24a and 24b). Accordingly, the amount of mechanical displacement changes in an analog manner in accordance with the impressed voltage, and after the impression of a drive voltage, the amount of displacement equivalent to that when the drive voltage is impressed can be maintained.
(FR)L'invention concerne une partie principale (26) d'actionneur, qui présente un film (22) antiferroélectrique et deux électrodes (24a et 24b) formées sur un grand côté (surface) dudit film (33) antiferroélectrique, une partie (18) vibratoire qui soutient la partie principale (26) d'actionneur, et une partie (20) fixe qui soutient la partie (18) vibratoire de sorte que celle-ci puisse vibrer. Le film (22) antiferroélectrique présente une région Zt dont la permittivité moyenne augmente conformément à la tension V appliquée aux deux électrodes (24a et 24b). Plus particulièrement, p/t est inférieur ou égal à 2,5 lorsque t représente l'épaisseur moyenne du film antiferroélectrique et que p représente le pas entre les deux électrodes (24a et 24b). Ainsi, l'ampleur des changements de déplacement mécanique conformément à la tension appliquée, et après application d'une tension d'attaque, est équivalente à celle constatée lorsque ladite tension d'attaque est appliquée, et peut être maintenue.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)