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1. (WO1998024129) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR AU NITRURE III-V ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/024129    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/004338
Date de publication : 04.06.1998 Date de dépôt international : 27.11.1997
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
YOSHIDA, Seikoh [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOSHIDA, Seikoh; (JP)
Mandataire : NAGATO, Kanji; 5F, SKK Building, 8-1, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/316518 27.11.1996 JP
9/43717 27.02.1997 JP
Titre (EN) III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES AND PROCESS FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR AU NITRURE III-V ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A III-V nitride semiconductor device essentially constituted of a substrate made of sapphire, silicon single crystal, GaAs single crystal or GaP single crystal, a GaN single crystal film having a thickness of 3 nm or below and deposited on the surface of the substrate, and at least one III-V nitride semiconductor layer deposited on the GaN single crystal film; and another III-V nitride semiconductor device constituted of an Si single crystal substrate having a spontaneously oxidized layer, an SiON layer formed by partially nitriding the spontaneously oxidized layer, and a III-V nitride semiconductor layer deposited on the SiON layer.
(FR)Dispositif à semiconducteur au nitrure III-V comprenant essentiellement un substrat en saphir, silicium monocristallin, du GaAs monocristallin ou du GaP monocristallin; une pellicule de GaN monocristallin de 3 nm d'épaisseur ou moins est déposée à la surface du substrat, et au moins une couche en semiconducteur au nitrure III-V est déposée sur la pellicule de GaN monocristallin. On décrit un autre dispositif à semiconducteur au nitrure III-V comprenant un substrat en Si monocristallin à couche d'oxydation spontanée, à couche au SiON formée par nitruration partielle de la couche d'oxydation spontanée, et une couche à semiconducteur au nitrure III-V déposée sur la couche au SiON.
États désignés : DE, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)