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1. (WO1998024121) MICROPLAQUETTE ET TRANCHE DE SEMICONDUCTEUR A COUCHE DE PROTECTION, NOTAMMENT EN CERAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/024121    N° de la demande internationale :    PCT/DE1997/002562
Date de publication : 04.06.1998 Date de dépôt international : 05.11.1997
CIB :
H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
NEU, Achim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STAMPKA, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : NEU, Achim; (DE).
STAMPKA, Peter; (DE)
Données relatives à la priorité :
196 49 652.7 29.11.1996 DE
Titre (DE) HALBLEITERCHIP UND WAFER MIT SCHUTZSCHICHT, INSBESONDERE AUS KERAMIK
(EN) SEMICONDUCTOR CHIP AND WAFER WITH A PROTECTIVE LAYER, ESPECIALLY MADE OF CERAMIC
(FR) MICROPLAQUETTE ET TRANCHE DE SEMICONDUCTEUR A COUCHE DE PROTECTION, NOTAMMENT EN CERAMIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft Halbleiterchips und Wafer, welche auf wenigstens einer ihrer Oberflächen eine in einem Flamm- oder Plasma-Spritzverfahren aufgetragene Schutzschicht aufweisen. Die Schutzschicht besteht vorzugsweise aus Keramik. Zwischen Schutzschicht und Chip- oder Waferoberfläche kann eine Zwischenschicht aus einem elektrisch nichtleitenden und feuchtigkeitsbeständigen Material angeordnet sein. Die Zwischenschicht dient als Haftvermittlungsschicht und verbessert den Schutz der Chip- oder Waferoberfläche. Die Schutzschicht schützt Chip- oder Waferoberfläche gegen chemische und mechanische Beschädigung und erschwert die unlautere Detektion des Schaltungssystems von Halbleiterchips.
(EN)The present invention pertains to semiconductor chips and wafers presenting on at least one face a protective layer applied according to a flame or plasma projection method. The protective layer is mainly ceramic. Between the protective layer and the chip or wafer surface, there can be an intermediate layer made of a non-electroconductive and moisture-proof material. The intermediate layer has an adhesive function and improves the chip or wafer surface protection against chemical and mechanical degradations and makes the unauthorized detection of circuit systems difficult.
(FR)La présente invention porte sur des microplaquettes et des tranches de semiconducteurs, présentant, au moins sur l'une de leurs surfaces, une couche protectrice appliquée selon un procédé de projection à la flamme ou au plasma. Cette couche protectrice se compose essentiellement de céramique. Entre la couche protectrice et la surface de la plaquette ou de la tranche, il peut y avoir une couche intermédiaire constituée d'un matériau non électroconductible et résistant à l'humidité. La couche intermédiaire sert de couche adhésive et améliore la protection de surface de la plaquette ou de la tranche contre les dégradations chimiques et méchaniques et rend difficile la détection non autorisée du système de circuits.
États désignés : BR, CN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)