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1. (WO1998024117) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE MONOPHOSPHURE DE TITANE ET UTILISATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/024117    N° de la demande internationale :    PCT/EP1997/006497
Date de publication : 04.06.1998 Date de dépôt international : 20.11.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.06.1998    
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (Tous Sauf US).
FRÖSCHLE, Barbara [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LEUTENECKER, Roland [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RAMM, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FRÖSCHLE, Barbara; (DE).
LEUTENECKER, Roland; (DE).
RAMM, Peter; (DE)
Mandataire : SCHOPPE, Fritz; Postfach 71 08 67, D-81458 München (DE)
Données relatives à la priorité :
196 49 684.5 29.11.1996 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER TITANMONOPHOSPHIDSCHICHT UND IHRE VERWENDUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCING A TITANIUM MONOPHOSPHIDE LAYER AND ITS USE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE MONOPHOSPHURE DE TITANE ET UTILISATION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem Verfahren zum Erzeugen einer Titanmonophosphidschicht wird zunächst ein Träger in einen Reaktor eingebracht. Nachfolgend wird eine TiN-Schicht durch Zuführung von TiCl¿4? und NH¿3? in den Reaktor auf dem Träger abgeschieden. Die TiN-Schicht wird unter Zuführung von PH¿3? in den Reaktor unmittelbar nach dem Abscheiden der TiN-Schicht getempert, um die Titanmonophosphidschicht auf der TiN-Schicht zu bilden.
(EN)The invention relates to a method for producing a titanium phosphide layer, wherein initially a carrier is placed in a reactor. Subsequently, a TiN layer is deposited on the carrier by adding TiCl¿4? and NH¿3? in the reactor. The TiN layer is tempered by adding PH¿3? in the reactor immediately after the TiN layer has deposited in order to form the titanium monophosphide layer on the TiN layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une couche de monophosphure de titane selon lequel on place tout d'abord un substrat dans un réacteur. Ensuite, une couche de TiN est déposée sur ledit support par apport de TiCl¿4? et de NH¿3? dans le réacteur. La couche de TiN est, directement après son dépôt, soumise à un recuit avec apport de PH¿3? dans le réacteur, pour que la couche de monophosphure de titane se forme sur la couche de TiN.
États désignés : CN, ID, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)