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1. (WO1998023935) PROCEDE DE FABRICATION DE CAPTEURS MICROMECANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/023935    N° de la demande internationale :    PCT/DE1997/002751
Date de publication : 04.06.1998 Date de dépôt international : 24.11.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.04.1998    
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
SCHEITER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NÄHER, Ulrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HIEROLD, Christofer [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHEITER, Thomas; (DE).
NÄHER, Ulrich; (DE).
HIEROLD, Christofer; (DE)
Données relatives à la priorité :
196 49 367.6 28.11.1996 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN SENSOREN
(EN) PROCESS FOR PRODUCING MICROMECHANICAL SENSORS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE CAPTEURS MICROMECANIQUES
Abrégé : front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung eines Absolutdrucksensors als mikromechanisches Bauelement auf einem Siliziumsubstrat, bei dem ein Hohlraum (4) in einer Hilfsschicht (3) unter einer Membranschicht (5) durch Ätzöffnungen (6) ausgeätzt wird, die Ätzöffnungen mit einer Passivierungsschicht (7) verschlossen werden, bei einer Kontaktlochätzung eine spezielle Ätzöffnung (11) wieder geöffnet wird und diese Öffnung bei einem nachfolgenden Prozeßschritt, der bei niedrigem Druck erfolgt, mit einer Metallisierung oder dielektrischem Material (10, 12) wieder verschlossen wird.
(EN)A process is disclosed for producing an absolute pressure sensor as a micromechanical component on a silicon substrate. A cavity (4) is etched into an auxiliary layer (3) below a membrane layer (5) through etching holes (6), the etching holes are closed with a passivation layer (7), a special etching hole (11) is reopened when etching a contact hole and this opening is closed again with a plating or dielectric material (10, 12) during a subsequent process step carried out under a low pressure.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur de pression absolue sous forme d'un composant micromécanique sur un substrat en silicium. On grave à travers des ouvertures de gravure (6) une cavité (4) dans une couche auxiliaire (3) située sous une couche qui forme une membrane (5). On ferme les ouvertures de gravure avec une couche de passivation (7). On ouvre à nouveau une ouverture spéciale de gravure (11) pour graver un trou de contact, et on ferme à nouveau cette ouverture pendant une étape ultérieure sous basse pression avec une couche de métallisation ou un matériau diélectrique (10, 12).
États désignés : CN, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)