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1. (WO1998004040) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DES ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/004040    N° de la demande internationale :    PCT/JP1997/002506
Date de publication : 29.01.1998 Date de dépôt international : 18.07.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.07.1997    
CIB :
G06G 7/195 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01)
Déposants : YAMANOUCHI, Kazuhiko [JP/JP]; (JP).
ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-6, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530 (JP) (Tous Sauf US).
ODAGAWA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Wasuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUZE, Naohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTO, Hiromasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMANOUCHI, Kazuhiko; (JP).
ODAGAWA, Hiroyuki; (JP).
SATO, Wasuke; (JP).
KUZE, Naohiro; (JP).
GOTO, Hiromasa; (JP)
Mandataire : TANI, Yoshikazu; Seiko Building, 6th floor, Suite 300, 1-31, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP)
Données relatives à la priorité :
8/190905 19.07.1996 JP
8/250778 17.08.1996 JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE FUNCTIONAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DES ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A surface acoustic wave functional element is provided with a semiconductor layer on a piezoelectric substrate or piezoelectric thin film substrate and utilizes the interaction between surface acoustic waves propagated on the surface of the substrate and electrons in the semiconductor layer. The semiconductor layer is formed outside the propagating path of the surface acoustic waves and provided with a plurality of grating electrodes perpendicularly to the propagating path, an active layer, and a buffer layer lattice-matched with the active layer. Using this surface acoustic wave functional device, a surface acoustic wave amplifier with a high amplification degree at a practical low voltage is provided, and a surface acoustic wave convolver having such a high efficiency that has not been achieved so far, is provided.
(FR)L'invention a trait à un élément de traitement des ondes acoustiques de surface pourvu d'une couche semi-conductrice sur un substrat piézo-électrique ou un substrat consistant en un mince film piézo-électrique. Cet élément utilise l'interaction existant entre des ondes acoustiques de surface se propageant à la surface du substrat et des électrons de la couche semi-conductrice. La couche semi-conductrice, qui est constituée en dehors du parcours de propagation des ondes acoustiques de surface, comporte plusieurs électrodes disposées en chicane perpendiculairement au parcours de propagation, une région active et une couche tampon adaptée en réseau avec la région active. L'utilisation de ce dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface permet de réaliser un amplificateur d'ondes acoustiques de surface doté d'un pouvoir élevé d'amplification à basse tension ainsi qu'un convolutionneur d'ondes acoustiques de surface, ayant un rendement encore jamais obtenu jusqu'à maintenant.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)