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1. (WO1998003996) REFROIDISSEMENT PAR MICROCANAUX DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS A HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/003996    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/013316
Date de publication : 29.01.1998 Date de dépôt international : 22.07.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.02.1998    
CIB :
H01L 23/473 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, 90/110/CC, Los Angeles, CA 90067-2199 (US)
Inventeurs : HAMILTON, Robin, E.; (US).
KENNEDY, Paul, G.; (US).
OSTOP, John; (US).
BAYER, Martin, L.; (US).
ARLOW, Gregory, A.; (US).
GOLOMBECK, John, C.; (US).
EAGAN, Thomas, J., Jr.; (US)
Mandataire : GATES, William, L.; Birch, Stewart, Kolasch & Birch, LLP, P.O. Box 747, Falls Church, VA 22040-0747 (US)
Données relatives à la priorité :
08/681,207 22.07.1996 US
Titre (EN) MICROCHANNEL COOLING OF HIGH POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) REFROIDISSEMENT PAR MICROCANAUX DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS A HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)Cooling of densely packaged semiconductor devices is achieved by microchannels which extract heat by forced convection and the use of fluid coolant located as close as possible to the heat source. The microchannels maximize heat sink surface area and provide improved heat transfer coefficients, thereby allowing a higher power density of semiconductor devices without increasing junction temperature or decreasing reliability. In its preferred embodiment, a plurality of microchannels are formed directly in the substrate portion of a silicon or silicon carbide chip or die mounted on a ground plane element of a circuit board and where a liquid coolant is fed to and from the microchannels through the ground plane. The microchannels comprise a plurality of closed-ended slots or grooves of generally rectangular cross section. Fabrication methods include deposition and etching, lift-off processing, micromachining and laser cutting techniques.
(FR)Le refroidissement de dispositifs semi-conducteurs encapsulés de manière dense est réalisé à l'aide de microcanaux qui extraient la chaleur par une convexion forcée et l'utilisation d'un fluide de refroidissement situé aussi près que possible de la source de chaleur. Lesdits microcanaux maximisent la surface de dissipation de chaleur et fournissent de meilleurs coefficients de transfert de chaleur, ce qui permet une densité de puissance plus élevée des dispositifs semi-conducteurs sans augmentation de la température de la jonction ou réduction de la fiabilité. Dans le mode de réalisation préféré, une pluralité de microcanaux sont formés directement dans la partie substrat d'une puce de silicium ou de carbure de silicium montée sur un élément plan de masse d'une plaquette à circuits imprimés, et un liquide de refroidissement est introduit dans les microcanaux et évacué de ces derniers à travers le plan de masse. Les microcanaux comportent une pluralité de fentes ou rainures à extrémités fermées de section transversale généralement rectangulaire. Des procédés de fabrication comprennent le dépôt et la gravure, le traitement par arrachement, le micro-usinage et les techniques de coupe au laser.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)