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1. (WO1998003992) PROCEDE POUR REMPLIR DES FOSSES DANS UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/003992    N° de la demande internationale :    PCT/DE1997/001543
Date de publication : 29.01.1998 Date de dépôt international : 22.07.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.02.1998    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacher Platz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
ELBEL, Norbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GABRIC, Zvonimir [HR/DE]; (DE) (US Seulement).
NEUREITHER, Bernhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ELBEL, Norbert; (DE).
GABRIC, Zvonimir; (DE).
NEUREITHER, Bernhard; (DE)
Données relatives à la priorité :
196 29 766.4 23.07.1996 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM AUFFÜLLEN VON GRÄBEN IN EINEM SUBSTRAT
(EN) METHOD OF FILLING TRENCHES IN A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE POUR REMPLIR DES FOSSES DANS UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(DE)Für die Isolation der aktiven Gebiete wird in zunehmendem Maße die LOCOS-Isolation durch die sogenannte Shallow-Trench-Isolation (STI) ersetzt. Die vorliegende Erfindung nutzt die selektive Abscheidung von ozonaktivierten CVD-Verfahren, um die in ein Siliziumsubstrat geätzten Shallow-Trenches mit Siliziumoxid aufzufüllen. Das Aufbringen und Strukturieren eines Fotoresists mit Hilfe einer sogenannten PAIGE-Maske, bei der die Maskengenerierung sehr kompliziert ist, kann dadurch entfallen.
(EN)The invention concerns a method of producing shallow trench insulation on a substrate. For insulating the active areas, the LOCOS insulation process is replaced to an increasing extent by the so-called shallow trench insulation (STI) process. The invention utilizes the selective deposition of ozone-activated CVD processes in order to fill the shallow trenches etched in a silicon substrate with silicon oxide. This eliminates the need for the application and structuring of a photoresist using a so-called Paige mask in which the generation of masks is highly complicated.
(FR)L'invention concerne un procédé d'isolation de fossés de faible profondeur sur un substrat. Pour isoler les zones actives, le procédé d'isolation de type LOCOS tend de plus en plus à être remplacé par le procédé d'isolation fossés de faible profondeur (STI). L'invention fait appel à la méthode de dépôt sélectif d'oxyde de silicium dans le cadre du dépôt chimique en phase vapeur activé par ozone, pour remplir les fossés peu profonds produits par mordançage dans un substrat en silicium. L'application et la structuration d'un Photo-Résist à l'aide d'un masque de type PAIGE, procédé selon lequel la production de masques est très complexe, ne sont dès lors plus nécessaires.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)